Генерационный ток
Cтраница 2
 |
Схема ЗЭ динамического ЗУПВ ( а, его. [16] |
В процессе длительного хранения информации заряд на емкости СКБ обратносмещенного перехода коллектор - база пары транзисторов 7 и Г2 постепенно разряжается поверхностными генерационными токами и токами утечки. Постоянная времени разряда емкости величиной порядка 1 пФ лежит в диапазоне единиц миллисекунд. [17]
В предыдущем разделе было обнаружено, что при низких значениях nl ( для кремния вплоть до комнатной температуры и для германия при низких температурах) в механизме проводимости основную роль играет генерационный ток. В этом случае следует предположить, что и при малом прямом смещении1) генерационный ток будет весьма существенен; по этой причине ток через переход при малом прямом смещении будет больше, чем это предполагалось. [18]
При значениях обратного напряжения, меньших минимального напряжения пробоя коллекторного перехода, лавинное умножение носителей в слое объемного заряда этого перехода пренебрежимо мало. Генерационный ток перехода j экспоненциально растет с температурой из-за роста концентрации собственных носителей - в кремнии. [19]
 |
ВАХ тиристора в обратном направлении при различных температурах.| Зависимость обратного напряжения пробоя тиристора от температуры. [20] |
При высоких значениях обратного напряжения, превышающих минимальное напряжение пробоя коллекторного перехода, лавинное умножение носителей в слое объемного заряда этого перехода может быть значительным. Генерационный ток перехода j ( / /, по-прежнему экспоненциально растет с ростом температуры. Однако коэффициент лавинного умножения носителей М уменьшается с ростом температуры из-за уменьшения коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок. [21]
 |
Составляющие токов через переход с учетом генерации электронно-дырочных пар в области объемного заряда. [22] |
На рис. III.13 приведена диаграмма, показывающая направление различных составляющих токов. Можно видеть, что направление генерационного тока совпадает с направлением обратного тока. Направление генерационного тока / г сохраняется при любой полярности. [23]
 |
Сравнительные вольтамперные характеристики германиевого ( - - - - - - и кремниевого ( - - - - - - - - - - - диодов. [24] |
Поскольку ток насыщения / s пропорционален квадрату собственной концентрации щ, а генерационный ток (III.34) - первой степени, то температурная зависимость обратного тока для этих двух случаев будет иметь несколько отличный характер. Температурной зависимостью подвижности и других констант мы в этом случае пренебрегаем. [25]
В предыдущем разделе было обнаружено, что при низких значениях nl ( для кремния вплоть до комнатной температуры и для германия при низких температурах) в механизме проводимости основную роль играет генерационный ток. В этом случае следует предположить, что и при малом прямом смещении1) генерационный ток будет весьма существенен; по этой причине ток через переход при малом прямом смещении будет больше, чем это предполагалось. [26]
 |
Генерация ( а и рекомбинация ( 6 носителей заряда в р-л-переходе. [27] |
Именно поэтому процесс генерации носителей в переходе не уравновешивается процессом рекомбинации. Обратный ток, вызванный генерацией носителей в р - - пе-реходе, называют генерационным током ( / геи) - Следует, однако, помнить, что ток насыщения, связанный с экстракцией неосновных носителей заряда и рассмотренный в § 3.2 и 3.4, также вызван генерацией неосновных носителей заряда, но генерацией в прилегающих к переходу областях. [28]
Обратный ток кремниевых переходов, будучи преимущественно генерационным, в отличие от обратного тока идеального перехода не насыщается с ростом обратного напряжения. Так как толщина слоя объемного заряда перехода растет с ростом обратного напряжения, возрастает и генерационный ток обратносмещенного кремниевого перехода. [29]
На рис. III.13 приведена диаграмма, показывающая направление различных составляющих токов. Можно видеть, что направление генерационного тока совпадает с направлением обратного тока. Направление генерационного тока / г сохраняется при любой полярности. [30]
Страницы: 1 2 3