Фотоэмиссионный ток

Cтраница 1

Схема [ энергетических характеристик освещаемой поверхности металла. [1]

Фотоэмиссионный ток достаточно мал, так что он практически не нарушает термодинамического равновесия внутри твердого тела. При экспериментально наблюдаемых плотностях фототока это условие всегда имеет место. [2]

Здесь / - фотоэмиссионный ток; А - константа, зависящая от свойств металла; ф - потенциал электрода; со - частота облучения; h - постоянная Планка и е - заряд электрона; частота ш0, которой соответствует квант энергии hft0, равный работе выхода из металла в рассматриваемую среду, называется пороговой частотой ( или красной границей) фотоэффекта. [3]

Здесь / о - фотоэмиссионный ток в отсутствие адсорбции, задаваемый функцией ( t); IE ] - величина размерности энергии, соответствующая выбору единиц при измерении Ет; аир определяются формой потенциального барьера и н е зависят от ср. [4]

В дополнение к рассмотренной зависимости величины фотоэмиссионного тока / от разности Йв - Йю0 ниже будет исследована более слабая зависимость / непосредственно от частоты со, а также зависимость / от поляризации света и его интенсивности. Для этого требуется более детально рассмотреть свойства безразмерной величины Л 2, входящей в выражения (2.17) и (2.18), что уже невозможно сделать только в рамках порогового подхода. [5]

Интересно отметить, что кривая спектрального распределения фотоэмиссионных токов всех изученных ароматических углеводородов имеет отчетливый горбик, соответствующий повышенному выходу электронов с энергиями на 0 6 - 1 0 эв выше пороговой. [6]

Кривые распределения эмитированных электронов по энергиям ( РЭЭ при постоянной энергии падающих квантов Ер. Е. Л1. - потенциал ионизации кристалла, отсчитанный от потолка валентной зоны. Эмитированные электроны могут иметь любую кинетическую энергию над уровнем вакуума Evac. Максимальная кинетическая энергия определяется законом Эйнштейна. Появление пика при Е ] определяется процессами внутреннего поглощения энергии при значении кинетической энергии электрона Е, -. vac. [7]

К 3 - минимальный задерживающий потенциал, полностью запирающий фотоэмиссионный ток. [8]

В заключение заметим, что при определенных значениях параметров, характеризующих поверхностную структуру, фотоэмиссионный ток может аномально возрастать. Формально этому возрастанию соответствует обращение величины о в бесконечность. [9]

Пусть интенсивность освещения периодически меняется во времени с частотой Q; соответствующая переменная составляющая фотоэмиссионного тока, имеет тогда вид / / Oexp ( i.2.), где / о - амплитуда колебаний фототока. [10]

Соотношения (2.19) и (2.21) с учетом (2.17) и (2.18) полностью решают в общем виде задачу вычисления фотоэмиссионного тока в припороговой области частот. [11]

В § 2 будет дана математическая постановка задачи, в § 3, 4 рассмотрено влияние на фотоэмиссионный ток я) / - потенциала, специфической адсорбции анионов и катионов, а также адсорбции органических молекул с длинной углеводородной цепью. Проведенное далее сравнение теории с экспериментом иллюстрирует возможности фотоэмиссионного метода исследования структуры двойного слоя. Наконец, в § 5 рассмотрен вопрос о роли неоднородности поверхности электрода и найдена зависимость фототока от степени покрытия поверхности адсорбатом. При этом ряд полученных результатов может быть обобщен на более широкий класс электронных переходов. [12]

Схема [ энергетических характеристик освещаемой поверхности металла. [13]

Первый сомножитель под интегралом в (2.1) ejx ( Ei, рц ( о) есть значение плотности электрического парциального фотоэмиссионного тока, отвечающего определенным начальным значениям EI и рц исходных электронов. [14]

График функции ( у. [15]

Страницы: 1 2 3