Фотоэмиссионный ток

Cтраница 3

Спектры РЭЭ N ( E ион-радикальной соли Cs-TCNQ при hv 8 5 эВ ( а и hv 10 2 эВ ( б. Штрихпунктирные линии соответствуют спектру TCNQ0, пунктирные - спектру после выдержки TCNQ в парах Cs при среднем давлении 5 10 - 8мм рт. ст. в течение 3 мин, сплошные линии - при выдержке в течение 25 мин. [31]

На рис. 4.4.11 приведены спектры РЭЭ, полученные при hv 8 5 и 10 2 эВ для трех последовательных ступеней реакции между Cs и TCNQ. За нулевую точку отсчета энергии принято положение уровня Ферми пленки TCNQ; предполагается, что он совпадает с уровнем Ферми подложки. Для диэлектриков, к которым относится TCNQ ( как и TTF), фотоэмиссионный ток создает небольшое падение напряжения внутри образца, и предположение о неизменности положения уровня Ферми является поэтому не вполне точным. [32]

Фотоэлемент с внешним фотоэффектом. [33]

Для увеличения чувствительности фотоэлектронных преобразователей в телевидении используется принцип накопления зарядов. Сущность этого принципа может быть пояснена с помощью схемы, представленной на рис. 15 - 5, а. Под воздействием светового потока Ф, падающего на фотокатод, в цепи фотоэлемента непрерывно протекает фотоэмиссионный ток. Ключ / разомкнут в течение времени, значительно большего, чем время замыкания ключа. Когда ключ разомкнут, конденсатор С заряжается небольшим фотоэлектронным током / ар, при этом на конденсаторе накапливается электрическая энергия и напряжение на нем возрастает. [34]

Спектральная зависимость квантового выхода фотоэмиссии для сильнолегированного кремния и - и. - типов ( 631 1 эВ, х - 4эВ. L - n - тип, 2-р-тип. [35]

Большинство фотоэлектронов рассеивает свою энергию до подхода к поверхности и теряет возможность выйти в вакуум. При энергии фотонов вблизи порога фотоэффекта большинство фотоэлектронов возбуждается ниже уровня вакуума и не дает вклада в фотоэмиссионный ток. УФ-областях велик и лишь малая часть излучения поглощается в металле. [36]

Фотоэмиссионная установка дисплейного типа (, . Свет входит в камеру сверху справа и падает на образец. Фотоэлектроны вылетают из образца под характеристическими углами и задерживаются полусферическими сетками. Прошедшие электроны размножаются микроканальной пластиной умножителя, направляющей усиленный пучок электронов на фосфоресцентный экран, на котором образуется фотоэмиссионное изображение в значительной части телесного угла. Спектры в любом выбранном направлении можно получить, измеряя интенсивность соответствующей точки на фосфоресцентном экране с помощью точечного фотометра в процессе развертки задерживающего потенциала на сетках. / - образец, 2 - задерживающие сетки, 3 - микроканальная пластина, 4 - фосфоресцентный экран, 5 - магнитный экран, 6 - вакуумная камера, 7 - окно для наблюдения, 8 - откачка, 9 - источник света, 10 - окно из MgF2. [37]

Для определения кинетической энергии электронов используется задерживающий потенциал VR. Знак VR определяет знак эмитирующего электрода, следовательно, положительный потенциал VR на нем будет уменьшать скорость эмиссии. Эмиссионный ток / измеряется во внешней цепи; типичная вольт-амперная характеристика показана на рис. 4.2.3. Для отрицательных значений VK фотоэмиссионный ток насыщается при значении / тах. [38]

Спектральная характеристика фотоэффекта. [39]

Основываясь на формуле (2.43), можно специально поставить вопрос о зависимости от частоты коэффициента А. Согласно сказанному в 2.6, характер этой зависимости определяется тем, насколько резко изменяется поле электромагнитной волны в приповерхностном слое металла. Нужно подчеркнуть, что постановка такого опыта на границе металл-вакуум принципиально невозможна, так как при изменении частоты света со там одновременно изменяются оба сомножителя в фотоэмиссионном токе - А ( о) и ( Йсо - Йсо0), и разделить эти два эффекта не удается. [40]

Страницы: 1 2 3