Фотоэмиссионный ток

Cтраница 2

Важная особенность случая ф ] 0 состоит в том, что при этом могут реализоваться условия, в которых фотоэмиссионный ток становится аномально велик. [16]

Соотношения (2.17) и (2.18) дают возможность, исходя из уравнения (2.9), зависящего лишь от потенциала V ( x) вне металла, вычислить величину парциального фотоэмиссионного тока с точностью до постоянного множителя и таким образом, представляют собой решение поставленной задачи. [17]

Поскольку характерными для процесса фотоэмиссии являются, как будет показано ниже, расстояния порядка ангстрем и десятков ангстрем, отсюда сразу становится понятным, почему величина фотоэмиссионного тока в системе металл-вакуум обычно не зависит от столь малого изменения потенциала электрода-эмиттера. В то же время в рассматриваемых ниже системах указанная зависимость должна быть чрезвычайно существенной. [18]

В пределах а - 0 ( отсутствие взаимодействия частиц с электроном) и S - оо ( отсутствие частиц) формула (8.2) переходит в выражение (2.36) для фотоэмиссионного тока в отсутствие адсорбции. [19]

Графики функций Fd ( v и Fv ( v ]. [20]

Использ находимые из опыта в условиях адсорбции значения 1а и Ь, а так значения величин А и Е т / ш - / ш0 ( 0), характеризующи фотоэмиссионный ток с той же поверхности в отсутствие адсорб ции, можно определить параметры адсорбционного слоя. [21]

Как следует из ( 26), в рассматриваемых условиях должно, во-первых, наблюдаться существенное отклонение от функциональной зависимости, описываемой законом пяти вторых, сопровождающееся значительным снижением величины фотоэмиссионного тока, что и было обнаружено экспериментально [18] при адсорбции на ртутном электроде цетилового спирта. [22]

Как видно из (6.9), мы получаем в рассматриваемом случае существенное функциональное отличие от закона пяти вторых, причем в интервале энергий a / 2mb Ет 1 / % тЬ происходит относительное возрастание фотоэмиссионного тока. [23]

Ев определяет порог фотоэмиссии из поверхностной зоны. Поскольку пороговая частота as меньше co0i т фотоэмиссионный ток с поверхностных состояний в принципе можно наблюдать экспериментально. [24]

График функции.| Графики функций 6 ( 3 и. [25]

В реальных ситуациях при Т 0 фототек, согласно (2.37), существует и при со [ со0 - Физически это связано с тем, что при Т ] 0 за счет тепловых возбуждений в металле обязательно существуют электроны с энергиями, большими, чем энергия электронов на поверхности Ферми. Именно эти возбужденные электроны и могут дать вклад в фотоэмиссионный ток в подпороговой области частот. Зависимость фототока от температуры в этой области частот также определяется, в основном, экспоненциальным фактором. [26]

А с ростом 0) требует специального анализа. Таким образом, даже в простейших предположениях описание зависимости фотоэмиссионного тока от степени заполнения поверхности представляет собой сложную задачу. [27]

На рис. 6.13 приведены кривые фототока на чистом ртутном электроде в 0 1 М растворе KF ( акцептор N20) и на том же электроде, покрытом цетиловым спиртом в результате натирания поверхности ртути под раствором кристалликом этого органического вещества. При потенциалах от - 0 6 до - 1 2 в адсорбция спирта уменьшает фотоэмиссионный ток в десятки раз. Подъем тока при - 1 2 б и выход на кривую 1 ( для чистого электрода) объясняется разрушением слоя цетилового спирта при большом отрицательном заряде поверхности электрода. [28]

В наиболее простом случае I, соответствующем слабой специфической адсорбции катионов в области катодных потенциалов, рассмотрение в точности аналогично проведенному в § 3, и все результаты § 3 поэтому полностью приложимы и к описанию случая I. В случаях II-IV оказывается возможным получить такие условия ( например, изменением концентрации раствора), при которых фотоэмиссионный ток становится аномально велик. [29]

В теории рассеяния такого рода возрастание сечения рассеяния называется резонансом на квазидискретном уровне. По аналогии, явление возрастания фотоэмиссионного тока / ж, обусловленное обеими рассмотренными причинами, мы будем называть поверхностным эмиссионным резонансом. [30]

Страницы: 1 2 3