Обратный ток - коллекторный переход - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Опыт - это нечто, чего у вас нет до тех пор, пока оно не станет ненужным. Законы Мерфи (еще...)

Обратный ток - коллекторный переход

Cтраница 2


При измерениях обратного тока коллекторного перехода и начального тока коллектора погрешность измерений зависит от типа выбранного стрелочного индикатора, то есть от его класса точности. Ограничительные сопротивления, включенные в цепь, вследствие прохождения через них незначительного тока, практически не оказывают влияния на правильность показаний прибора во время этих измерений.  [16]

При измерениях обратного тока коллекторного перехода и начального тока коллектора погрешность измерений зависит от класса выбранного стрелочного индикатора, ибо включенные в измерительную цепь ограничительные резисторы, вследствие прохождения через них незначительного тока, практически не влияют на правильность показаний прибора.  [17]

Точность измерений обратного тока коллекторного перехода и начального тока коллектора зависит от классности стрелочного индикатора, поскольку ограничительные резисторы RII и 3 при измерении этих величин на показания прибора не влияют.  [18]

Для измерения обратного тока коллекторного перехода переключателем П производится коммутация таким образом, чтобы шунт R был отключен от индикатора, а вывод базы транзистора подсоединен непосредственно к батарее питания. Для переключения рода работ применен обычный тумблер на два положения. Сопротивление шунта R необходимо намотать в индивидуальном порядке с таким расчетом, чтобы при его подключении к индикатору полное отклонение стрелки достигалось при токе 50 ма. Подгонку величин шунта производят при наличии другого стрелочного прибора, имеющего соответствующий предел измерения, путем подсоединения последнего к зажимам Э и К, а поворотом ручки реостата, включенного последовательно с батареей, устанавливают нужный ток.  [19]

При измерениях обратного тока коллекторного перехода и начального тока коллектора погрешность измерений зависит от класса точности выбранного стрелочного индикатора.  [20]

21 Принципиальная схема приставки для проверки транзисторов. [21]

Для измерения обратного тока коллекторного перехода нужно выбрать наименьший предел измерения тока, например, при использовании авометра ПР-5 отсчет производится по шкале 60 мка.  [22]

23 Принципиальная схема приставки для проверки транзисторов. [23]

Для измерения обратного тока коллекторного перехода необходимо переключатель П поставить в положение / ко, а ручку потенциометра, соединенного с выключателем Вк, установить в положение Выкл. Чтобы измерить начальный ток коллектора, выводы эмиттера и базы нужно соединить накоротко и производить отсчет по той же шкале.  [24]

Начальное значение обратного тока коллекторного перехода ГКО, измеряемое при небольших запирающих напряжениях ( 0 2 - 0 3 в) слабо изменяется при понижении температуры от нормальной до - 60 С и это изменение при расчетах можно не учитывать.  [25]

Ток 1к0 - обратный ток коллекторного перехода - достаточно мал, но резг: о возрастает г увеличением температуры.  [26]

Рекл), обратных токов коллекторного перехода ( / БГРН / л / гон / кген) а также тока неосновных носителей заряда, дошедших до вывода базы ( / рск. Значение и направление тока базы определяются соотношением этих составляющих.  [27]

Начальный ток коллектора и обратный ток коллекторного перехода измеряется в пределах 0 - 50 мка. Граничная частота генерации измеряется в пределах от 150 кгц до 20 ( 30) мгц - в зависимости от применяемых контурных катушек. Имея определенный навык, прибор можно использовать и как высокочастотный генератор, применив для этой цели высокочастотный транзистор, который включается в режим генерации, а также для проверки годности полупроводниковых диодов.  [28]

В области отрицательных температур обратные токи коллекторных переходов уменьшаются настолько, что уже не могут оказывать сколько-нибудь заметного влияния на режим работы транзистора. Поэтому в области низких температур окружающей среды главным фактором, определяющим стабильность параметров транзисторов, является непосредственная температурная зависимость статических параметров.  [29]

30 Распределение потенциала ( а и диаграмма энергетических зон ( б р-п-р-п структуры в закрытом состоянии.| Распределение потенциала ( а и диаграмма энергетических зон ( б р-п-р-п структуры в открытом состоянии при больших плотностях тока. [30]



Страницы:      1    2    3    4