Обратный ток - коллекторный переход
Cтраница 3
Это означает, что обратный ток коллекторного перехода возрастает с ростом тока. Однако рост / д / 2 возможен только благодаря росту обратного напряжения на коллекторном переходе, а следовательно, и росту напряжения на р-п-р-п структуре в целом. [31]
Ток / к0 называют обратным током коллекторного перехода. [32]
При освещении базы фототок увеличивает обратный ток коллекторного перехода, включенного в обратном направлении, так как фототок суммируется с коллекторным током. [33]
Малошумящие транзисторы должны иметь [2, 4] низкие обратные токи коллекторного перехода, поэтому будем предполагать, что транзисторы удовлетворяют этому требованию. [34]
R M выбирается по величине больше обратного тока запертого коллекторного перехода при максимальной рабочей температуре. R предыдущего транзисторного каскада, связан с током смещения следующим образом. [35]
На работу усилителя большое влияние оказывает обратный ток коллекторного перехода / ко. Величина его сказывается на режиме схемы по постоянному току, определяет температурную и временную нестабильности, ограничивает снимаемую с транзистора мощность. Ток / ко является показателем качества, стабильности и долговечности транзистора. Если / ко мал при нормальной температуре, не зависит от напряжения на коллекторе и от времени и резко возрастает с повышением температуры, то его основную долю составляет объемный ( температурный) ток. Транзистор с таким током / ко надежен и долговечен. [36]
К таким параметрам биполярного транзистора относятся обратный ток коллекторного перехода / Кбо; крэффициент усиления по току / 121; напряжение на переходе эмиттер - база. [37]
К таким параметрам биполярного транзистора относятся обратный ток коллекторного перехода / Кбо; коэффициент усиления по току / i2i; напряжение на переходе эмиттер - база. [38]
В режиме покоя ток коллектора определяется обратным током коллекторного перехода / ко, линия нагрузки каскада по переменному току пересекается с линией нагрузки каскада по постоянному току в точке П с координатами / К0, UK. Определим основные соотношения, характеризующие энергетические показатели каскада. [39]
 |
Распределение концентрации дырок в базе транзистора при постоянном токе эмиттера и различных напряжениях на коллекторе. [40] |
Ток коллектора при отключенном эмиттере называют обратным током коллекторного перехода и обозначают / ко - Величина / ко, незначительно зависящая от напряжения, является одним из важных параметров транзистора. [41]
Из выражения (3.4) также следует, что обратный ток коллекторного перехода / к g0 не участвует в усилении сигнала и по существу является неуправляемым. Типовые величины бо для германиевых и кремниевых транзисторов различаются на два-три порядка и составляют соответственно для маломощных приборов 1 - 2 мкА и 0 001 - 0 01 мкА, а для мощных - 5 - 20 мАи 0 1 - 2 мА при нормальных условиях. [42]
Кроме того, в цепи коллектора протекает собственный обратный ток коллекторного перехода, имеющий небольшую величину. [43]
Внешним проявлением ухудшений состояния ИМС является увеличение обратного тока коллекторного перехода за счет появления тока утечки. [44]
По этим соображениям при крайних температурах обычно измеряют обратный ток коллекторного перехода / кво и либо коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером р, либо статический коэффициент передачи тока В. Действительно, эти параметры являются определяющими при работе транзистора в подавляющем большинстве классов схем, сильно зависят от температуры окружающей среды и достаточно просто измеряются. [45]
Страницы: 1 2 3 4