Cтраница 4
В схеме с общей базой R KB 0 обратный ток коллекторного перехода не попадает в цепь эмиттера и отсутствует какое-либо усиление тока / ко. Поэтому такое включение дает лучшую стабильность, хотя и мало удобно в других отношениях. [46]
При расчете импульсных устройств на кремниевых приборах значение обратного тока коллекторного перехода, как правило, не требуется. [47]
Через коллекторный переход протекает ток не / ко ( обратный ток коллекторного перехода при изолированном эмиттере), а ток значительно большей величины. Величина этого неуправляемого тока может достигать значения / к. Действительно, ток / ко создает на делителе г § - RT падение напряжения, отпирающее транзистор. Это напряжение усиливается транзистором. Ток коллектора при этом возрастает примерно в р раз и достигает значений Р / О. [48]
Под / я / г в (7.6) следует понимать обратный ток коллекторного перехода без учета лавинного умножения носителей в слое объемного заряда этого перехода. [49]
Транзистор, имеющий коэффициент передачи тока базы рЮО, обратный ток коллекторного перехода f m 5 мкА, включен в схему с общим эмиттером. [50]
Так, - при возрастании температуры, во-первых, увеличивается обратный ток коллекторного перехода, во-вторых, уменьшается напряжение и6эо и, в-третьих, возрастает коэффициент В. [51]
Установив переключатель рода работ в положение 17, производят измерение обратного тока коллекторного перехода транзистора, выключатель - Вк2 должен быть выключен. Для измерения начального тока коллектора выключатель Вк2 должен быть включен, с тем чтобы были замкнуты накоротко выводы эмиттера и базы. [52]
Если поверхность переходов загрязнена, то это проявляется в завышенных значениях обратных токов коллекторного перехода / К0 и в завышенных значениях коэффициента шума. Как правило, транзисторы с минимальным значением / К0 обладают очень хорошими и близкими к расчетным шумовыми свойствами. [53]
Как видно из формулы (3.9), в схеме с ОЭ влияние обратного тока коллекторного перехода увеличивается в ( 1 / 3) раз по отношению к схеме ОБ, так как любые изменения потока носителей заряда в базе независимо от их природы усиливаются в цепи коллектора. Именно поэтому действие неуправляемого тока / к g0 ( 1 В) / g0 приходится учитывать у германиевых транзисторов даже при нормальных условиях. Вместе с тем быстрое нарастание этой составляющей при повышении температуры может выключить к. В этом - одна из причин, ограничивающих дот пустимые температуры германиевых транзисторов ( до ( 60 - 75) С) и, конечно, сужающих область их применения. Предельные температуры кремниевых транзисторов устанавливаются более высокими ( до ( 120 - 150) С), как и для кремниевых диодов. [54]
Поскольку концентрация неосновных носителей значительно больше в базе, чем в коллекторе, обратный ток коллекторного перехода состоит в основном из дырок базы. Ток / ко определяют при разомкнутой цепи эмиттера ( / э 0) и при определенном значении обратного напряжения на коллекторе. Ток / Ко вызывается термогенерацией и с повышением температуры растет по экспоненциальному закону. В германиевых транзисторах / Ко при повышении температуры на каждые 10 приблизительно удваивается, в кремниевых - увеличивается в 2 5 раза. [55]
Поскольку концентрация неосновных носителей значительно больше в базе, чем в коллекторе, обратный ток коллекторного перехода состоит в основном из дырок базы. Ток / А - () определяют при разомкнутой цепи эмиттера и при определенном значении обратного напряжения на коллекторе. Ток 1 к вызывается термогенерацией и с повышением температуры растет по экспоненциальному закону. В германиевых транзисторах IKa при повышении температуры на каждые 10 приблизительно удваивается, в кремниевых - увеличивается в 2 5 раза. [56]