Малый обратный ток

Cтраница 2

Их основными преимуществами являются низкая стоимость, малый обратный ток для данного максимального прямого тока и способность легко соединяться последовательно для получения максимального обратного напряжения. [16]

Принципиальные схемы ЧМ-АИМ передатчиков. [17]

Указанные схемы отличаются наличием кремниевого транзистора с пренебрежимо малыми обратными токами вместо германиевого. В этом случае для перезаряда ( см. рис. 46, а) или разряда ( рис. 46, б) накопительной емкости GI используют резистивный измерительный преоб - - разователь. [18]

Конфигурация ОПЗ вблизи поверхности р - п перехода ( а, п - р перехода ( б и р - п перехода с косой фаской ( в. [19]

Поэтому создание высоковольтных п - р переходов с малыми обратными токами представляет сложную технологическую задачу. [20]

Кремниевые диоды применяются в тех случаях, когда требуются малый обратный ток при высокой температуре, максимальное обратное напряжение или большой прямой ток. Дополнительным свойством этих диодов является очень высокое сопротивление для прямых напряжений, меньших - 0 5 в, которое затем резко уменьшается при больших напряжениях. [21]

Частотная характеристика транзисторного ПТН. [22]

Включение транзистора Г4 по схеме с заземленной базой обеспечивает малый обратный ток коллекторного перехода, что необходимо для надежного отпускания реле, включенного на выходе ПТН. [23]

В случае диодов указанные особенности требуют создания приборов с малыми обратными токами и малым падением напряжения в прямом направлении. [24]

Конденсаторное реле времени на переменном токе с использованием релейного полупроводникового усилителя. [25]

Чтобы получить большие выдержки времени, диод До должен иметь малый обратный ток. [26]

В, диоды VD1 - VD3 - любые выпрямительные с малым обратным током, VD5 - VD8 - выпрямительные с максимально допустимыми обратным напряжением не менее 300 В и средним прямым током не менее половины тока нагрузки. [27]

Высказывается предположение, что, применяя кремниевые слоистые диоды с ничтожно малым обратным током, можно создать ячейки со временем запоминания разр - 2 - т - 3 сек, что позволит построить ЗУ с емкостью до п - 10 000 чисел на усилитель. [28]

В УПТ можно применять лишь те германиевые транзисторы, которые имеют малый обратный ток коллектора. У кремниевых транзисторов ток / ко на несколько порядков меньше, чем у германиевых, и с этой точки зрения кремниевые транзисторы более предпочтительны. Для снижения составляющей дрейфа нуля, обусловленной изменениями коэффициента передачи тока, транзисторы целесообразно подвергать специальному отбору и использовать режим малых токов. В УПТ на германиевых транзисторах с малыми токами / ко при комнатных температурах в ряде случаев можно получить меньший дрейф, так как при комнатной температуре изменение коэффициента передачи кремниевых транзисторов обычно в несколько раз больше, чем германиевых. Для работы при повышенных температурах наиболее пригодны кремниевые транзисторы. [29]

Статическая характеристика полупроводникового стабилитрона. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5