Малый обратный ток
Cтраница 3
Выбор кремния в качестве материала для полупроводниковых стабилитронов обусловлен главным образом малым обратным током. [31]
Удельная мощность, выделяемая в единичном объеме шнура, даже при очень малых обратных токах через диод оказывается довольно большой. [33]
Все стабилитроны изготовляют на основе n - Si, так как его применение обеспечивает малый обратный ток до наступления пробоя, в рабочем режиме не превышающий прямого тока, резкий переход в режим пробоя при незначительных изменениях обратного напряжения и допускает нагрев p - n - перехода до высоких температур. Вольт-амперная характеристика стабилитрона для разных температур, условное обозначение в схемах и простейшая схема стабилизации постоянного напряжения с помощью стабилитрона показаны на рис. 1.24, а, б соответственно. [34]
Все стабилитроны изготовляют на основе n - Si, так как его применение обеспечивает малый обратный ток до наступления пробоя, в рабочем режиме не превышающий прямого тока, резкий переход в режим пробоя при незначительных изменениях обратного напряжения и допускает нагрев р-и-перехода до высоких температур. Вольт-амперная характеристика стабилитрона для разных температур, условное обозначение в схемах и простейшая схема стабилизации постоянного напряжения с помощью стабилитрона показаны на рис. 16.24, а, б соответственно. [35]
 |
Схема магнитного усилителя с па - зи и благодаря комбиниро. [36] |
Для обеспечения надежной и устойчивой работы усилителя выпрямители обратной связи укомплектовывают полупроводниковыми вентилями с малыми обратными токами. В этом случае даже значительные температурные изменения не вызовут заметных изменений тока обратной связи и не нарушат устойчивую работу усилителя. [37]
 |
Вольтамперная характеристика германиевого диода.| Вольтампсрные характеристики. [38] |
Германиевые выпрямители выгодно отличаются от выпрямителей других видов высокой амплитудой допустимого обратного напряжения при сравнительно малом обратном токе, практически не изменяющемся в широком интервале напряжений ( рис. 38), и высокой плотностью рабочего тока, достигающей многих десятков а / см2 при не очень больших значениях падения напряжения. Эти свойства позволяют получить значительные мощности в малых габаритах. [39]
При работе ИС изолирующий p - n - переход находится под обратным напряжением и, обладая очень малым обратным током, выполняет роль изолятора. [41]
Наилучшими материалами для изготовления ПД следует считать кремний и арсенид галлия, обеспечивающие большое обратное напряжение, малый обратный ток, высокую добротность и широкий температурный диапазон. [42]
При увеличении V3 в интервале 0V3Vi, I / p 0 и через р - - переход протекает малый обратный ток / нас - При Кв напряжение на р - - переходе равно нулю, однако это состояние равновесия является неустойчивым. Вследствие различных флуктуации, например тепловых, сопротивление нижней части базы может оказаться немного меньше своего стационарного значения. Напряжение Vi при этом также уменьшится, что приведет к тому, что VgVi, змиттерный переход окажется смещенным в прямом направлении и будет инжектировать в базу дырки. [43]
 |
Конструкция германиевого диода. [44] |
Такое поле еще больше будет препятствовать прохождению основных носителей зарядов через запирающий слой, и через диод пройдет малый обратный ток / обр, обусловленный неосновными носителями заряда. Обратный ток диода в значительной мере зависит от температуры, увеличиваясь с ее повышением. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5