Малый обратный ток
Cтраница 5
 |
Конструкции тиристоров. [61] |
Как видно из рис. 5.5, б, границы p - n - переходов закрыты от окружающей среды окисной пленкой. Это обеспечивает очень малые обратные токи переходов и высокую стабильность параметров. [62]
В полупроводнике р или п типа всегда имеется небольшое количество зарядов другого знака, которые слабо влияют на его электрические свойства. В частности, малый обратный ток через переход связан с движением неосновных носителей, для которых высокий потенциальный барьер не представляет никакого сопротивления. [63]
 |
Вольтамперные характеристики электронно-дырочных переходов при различных видах пробоя. [64] |
Тепловой пробой, как уже упоминалось, происходит в электронно-дырочных переходах с большими обратными токами. Обычные р-п-пере-ходы имеют настолько малые обратные токи, что тепловой пробой в них маловероятен, он может иметь место, если обратный ток каким-либо образом увеличен, что наблюдается, как мы увидим далее, в полупроводниковых усилительных приборах - транзисторах. [65]
 |
Вольтамперные характеристики кремниевых переходов с различными механизмами пробоя, снятые при температуре 25 С ( кривые 1. 100 С ( кривые 2. - 55 С ( кривые 3. [66] |
В качестве исходного материала для изготовления стабилитронов применяется в настоящее время кремний п-типа. Выбор кремния обусловлен малым обратным током переходов в предпробойной области и значительной крутизной характеристики в рабочей области, а также высокой допустимой рабочей температурой перехода. [67]
В схеме с общим эмиттером, если к триоду приложено только напряжение выхода, а вход разомкнут, все это напряжение прикладывается к р - - переходу между коллектором и базой, который запирает цепь коллектора. В коллекторе протекает лишь малый обратный ток, обусловленный неосновными носителями. Если теперь приложить напряжение указанной полярности на вход, то в диоде эмиттер-база возникает ток прямой проводимости. В основание инжектируются дырки, которые распространяются по законам диффузии в основании и, достигая второго р-п-пс-рехода, увлекаются в коллектор. [68]
 |
Образование р-п перехода после формовки точечного контакта. [69] |
Настройка заключается в выборе наиболее удачной точки на поверхности полупроводника и необходимой силы нажатия электрода. Обычно малое нажатие иглы дает малые обратные токи и большое пробивное напряжение, а сильное нажатие приводит к значительному увеличению обратных токов и снижению пробивного напряжения. Однако при очень слабом нажатии контакт плохо формуется из-за невыгодного режима разогрева и особенно охлаждения, при этом образование термоакцепторов явно недостаточно, а количество акцепторов, проникающих в полупроводник, мало. [70]
Страницы: 1 2 3 4 5