Рекомбинационный ток

Cтраница 1

Схема р - i-п-диода а, распределение концентра-носителей заряда в нем энергетическая диаграм. [1]

Рекомбинационный ток в i-слое можно определить из следующих соображений. [2]

Составляющие токов через переход с учетом генерации электронно-дырочных пар в области объемного заряда. [3]

Рекомбинационный ток представляет собой часть тока инжекции. [4]

Отношение значений рекомбинационного тока к инжекцион-ному зависит от ширины запрещенной зоны полупроводника. В диодах из материала с большой шириной запрещенной зоны ( кремниевый диод) из-за большой высоты потенциального барьера инжекция затруднена. [5]

Обычно в транзисторах рекомбинационный ток основных носителей поступает от внешнего источника через базовый электрод. В рассматриваемом приборе базовый электрод отсутствует. В этом случае рекомбинационный ток каждой из баз образуется из обратного тока коллекторного перехода и тока противоположного эмиттера. Таким образом, уравнение (5.3) отражает условие нейтральности в любой из баз. [6]

Обычно в транзисторах рекомбинационный ток основных носителей поступает от внешнего источника через базовый электрод. В рассматриваемом приборе базовый электрод отсутствует. В этом случае ре-комбинационный ток каждой из баз образуется из обратного тока коллекторного перехода и тока противоположного эмиттера. Таким образом, уравнение (5.3) отражает условие электрической нейтральности в любой из баз. [7]

Иллюстрация механизма работы тиристора. [8]

В этом случае величина рекомбинационного тока неосновных неравновесных носителей в базе превышает величину тока основных носителей, поступивших от противоположного эмиттера, и условие равновесия (5.3) достигается за счет тока / к 1Кр / Кп соответствующего заданному UK. [9]

По всей вероятности, флуктуации рекомбинационного тока нельзя объяснить в терминах диффузионной теории, которая была рассмотрена в разд. На раннем этапе развития технологии кремния было выполнено несколько экспериментальных и теоретических исследований, посвященных рекомбинацион-ным шумам, которые обусловлены обедненной областью [2, 3, 18, 24], однако сколько-нибудь удовлетворительной теории этого явления в то время не было предложено, да и экспериментальные данные не давали однозначных результатов. [10]

Другим путем уменьшения поверхностной составляющей рекомбинационного тока эмиттера является сужение р-л-перехода на его границе с поверхностью. [11]

Посмотрим, при каких условиях преобладает рекомбинационный ток. Рассмотрим сперва ток в запорном направлении. [12]

Левая часть равенства выражений (5.1) и (5.2) соответствует рекомбинационному току неосновных носителей, а правая часть равенства - рекомбинационному току основных носителей. [13]

Рекомбинация не может исказить это распределение, так как рекомбинационный ток обычно мал по сравнению с омическим и диффузионным токами в отдельности, даже если он составляет основную часть полного тока. [14]

Потенциальные диаграммы p - n - перехода при прямом ( а и обратном ( б смещениях. [15]

Страницы: 1 2 3 4