Рекомбинационный ток
Cтраница 3
Как указывалось в § 23, в диодах при большой высоте барьера ф рекомбинационный ток в р - и-переходе превышает рекомбинационный ток в объеме. Поэтому относительная роль рекомбинации в р - тг-переходе в транзисторе может быть еще больше, чем в диоде. [31]
Ввиду того, что носители зарядов рекомбинируют в основном через ловушки, а плотность ловушек максимальна на поверхности, то плотность рекомбинационного тока максимальна в том месте, где р-п переход выходит на поверхность кристалла. Многими авторами [2-4] было неоднократно показано, что состояние поверхности кристалла полупроводника оказывает очень сильное влияние на соотношение электронной и дырочной составляющих р-п переходов при малых положительных смещениях. Путем термической обработки поверхности кристалла можно улучшить вольтамперные характеристики р-п переходов [5], однако такие приборы недостаточно стабильны во времени из-за несовершенной защиты р-п перехода от внешней среды. [32]
Зависимость коэффициента инжекции от прямого тока If представлена на рис. 1.18. При малых токах, как было указано в § 1.3, рекомбинационный ток в кремниевых переходах превышает диффузионный. Коэффициент инжекции при этом близок к нулю. Поэтому - yi растет с ростом прямого тока. [33]
Формула (5.40), как показали опыты, достаточно хорошо оправдывается в случае термически окисленных кремниевых образцов, причем уже при Усм 0 4 в рекомбинационный ток на четыре порядка превышает генерационный. [34]
В случае сплавного транзистора, когда толщина базы W LQ, инжекция электронов в области р невелика; падение напряжения в области нарушенного равновесия от протекания рекомбинационного тока в направлении, перпендикулярном плоскости перехода, можно не учитывать. Это не означает, что мы пренебрегаем током рекомбинации и инжекции электронов. Мы пренебрегаем лишь падением напряжения от протекания этих токов в направлении, перпендикулярном плоскости перехода. [35]
Для того чтобы яснее понять принцип работы фототранзистора, рассмотрим р - п - р-транзистор с тонкой базой и предположим сначала для простоты, что электронные токи эмиттера и коллектора пренебрежимо малы по сравнению с рекомбинационным током базы. [36]
 |
Схема распределения токов в четырехслойном диоде. [37] |
Левая часть уравнения (5.189) показывает, какое суммарное количество основных носителей заряда в единицу времени ( дырок в базу р-типа или электронов в базу л-типа) должен пропустить коллекторный переход, чтобы выполнялось равенство дырочного и электронного рекомбинационных токов. [38]
При моделировании интегрального п-р-п-р - тран-зистора необходимо учесть его отличия от двухпереход-ного транзистора, заключающиеся в том, что ширину коллекторной области уже нельзя считать заметно превышающей диффузионную длину дырок в коллекторе; ток дырок, инжектированных из базы в коллектор, представляет собой две составляющие, одна из которых есть рекомбинационный ток, а другая - ток переноса дырок от базы к подложке. Очевидно, что анализ процессов в коллекторной области теперь должен быть проведен так же, как это делается для активной зоны базы с той лишь разницей, что распределение примесей в коллекторе обычно можно считать равномерным, поскольку коллекторная область представляет собой эпитаксиаль-ную пленку, выращенную на поверхности подложки. [39]
Модели с сосредоточенными параметрами, предложенные позднее с учетом структуры планарного транзистора и режимов его работы в интегральных схемах, либо отражают процессы только в активной зоне планарного транзистора ( модель Гуммеля - - Пуна), либо являются двумерными моделями, но не отражают работы при высоких уровнях инжекции ( модель Голубева - Кремлева), либо стремятся отразить все свойство планарного транзистора, но в них объединены диффузионный ток с рекомбинационным током базы, что не позволяет учесть различие зависимостей последних от величины напряжений переходов. [40]
При прямом смещении переходе превалирует ток рекомбинации -, поскольку резко возрастают концентрации дырок и электронов. Рекомбинационный ток уменьшает суммарный ток и может быть. Если при малых напряжениях ( малых уровнях инжекции) рекомбинационный ток может составлять значительную часть суммарного прямого тока диода, то с ростом напряжения он неизбежно уступает эту роль диффузионному току и ВАХ диода хорошо описывается приведенными зависимостями для идеального диода. [41]
При малых положительных смещениях наряду с инжек-ционным механизмом начинает действовать и быстро становится преобладающим над генерационным рекомбинаци-онный механизм, обусловленный рекомбинацией в переходе. Рекомбинационный ток представляет собой не что иное, как потери инжекционного тока. [42]
Ферми, то образуется-инверсный приповерхностный слой, который называют каналом. При обпазовании канала поверхностный рекомбинационный ток обуслов лен прежде всего рекомбинационными процессами. [43]
Благодаря снижению потенциального барьера, который препятствует диффузии, облегчается диффузия дырок и электронов в области пир соответственно. При этом увеличивается рекомбинационный ток IK, а тепловой ток LT остается неизменным при данной температуре, так как зависит только от количества дырок и электронов образующихся при тепловом движении. [45]
Страницы: 1 2 3 4