Рекомбинационный ток

Cтраница 2

В случае приложения прямого напряжения высота потенциального барьера уменьшается и рекомбинационные токи 1пг и 1рГ значительно возрастают. Токи же fng и Ipg практически не изменяются. [16]

В заключение рассмотрим вопрос о работе фототранзистора в условиях, когда рекомбинационный ток в эмнт-терном р - тг-переходе сравним или превышает ток рекомбинации в базе, а также электронный ток эмиттера. [17]

Выражения ( 26.6 в) и ( 26.8 в) для рекомбинационного тока базы учитывают лишь рекомбинацию в самом зазоре эмиттер - коллектор. Однако часть избыточных носителей может уходить из этого зазора и рекомбинировать в объеме базы вне зазора или на ее поверхности. Размеры области, куда могут уйти носители, существенно зависят от соотношения размеров эмиттера и коллектора. [18]

Следовательно, на низких частотах, таких, что выполняется уравнение (4.44), рекомбинационный ток при прямом смещении и генерационный ток при обратном смещении показывают полный дробовой шум. [19]

Хотя эти центры и не оказывают заметного влияния на JL, однако увеличивают рекомбинационный ток в области пространственного заряда, повышая тем самым диодные потери в точке максимальной мощности. [20]

Как указывалось в § 23, в диодах при большой высоте барьера ф рекомбинационный ток в р - и-переходе превышает рекомбинационный ток в объеме. Поэтому относительная роль рекомбинации в р - тг-переходе в транзисторе может быть еще больше, чем в диоде. [21]

При высоких уровнях инжекции и относительно больших рекомбинационных потерях в области базы возрастает рекомбинационный ток базы. Продольное электрическое поле, создаваемое этим током в активной области базы, направлено таким образом, что инжектированные носители выносятся этим полем за пределы активной области базы. Этот процесс еще более увеличивает потери на рекомбинацию в пассивной части базы и на поверхности. [22]

Одной из главных составляющих тока базы при работе транзисторов в нормальном активном режиме является рекомбинационный ток базы. Совершенно очевидно, что рекомбинационный ток, текущий от базового контакта по активной зоне базы, будет убывать по мере приближения центру транзистора, что схематически показано на рис. 4.10; число горизонтальных линий в базе условно отражает плотность реком-бинационного тока в различных участках. [23]

Составляющую прямого тока, связанную с процессом рекомбинации носителей в / з-п-переходе, называют рекомбинационным током. Надо понимать условность этого термина, так как прямой ток, связанный с инжекцией неосновных носителей в прилегающие к переходу области ( см. § 3.2), также сопровождается рекомбинацией инжектированных носителей либо в базе диода, либо на омическом переходе диода. При больших для диода прямых напряжениях высота потенциального барьера на переходе небольшая. Поэтому прямой ток при больших прямых напряжениях будет вызван в основном инжекцией носителей через уменьшенный потенциальный барьер перехода. [24]

Вольт-амперные характеристики тиристоров. a - динистора. 6-тринистора. [25]

При подаче на управляющий электрод прямого напряжения ( относительно эмиттера, см. рис. 5.1, б) рекомбинационный ток основных носителей в базе условного транзистора n - - л-типа перераспределится. [26]

Так, например, при незначительных по величине токах эмиттера ток базы по величине сильно отличается от рекомбинационных токов, поскольку значительную долю тока базы составляют токи утечки, шунтирующие р - / г-переходы. С увеличением тока эмиттера, а следовательно, и тока базы величина / б все более близко подходит к значениям, определяемым идеальной экспоненциальной зависимостью. В этих условиях токи утечки играют меньшую роль. [27]

При подаче на управляющий электрод прямого напряжения ( относительно эмиттера, см. рис. 5.1, в), рекомбинационный ток основных носителей в базе условного транзистора п-р - п типа перераспределится. [28]

Левая часть равенства выражений (5.1) и (5.2) соответствует рекомбинационному току неосновных носителей, а правая часть равенства - рекомбинационному току основных носителей. [29]

Ток базы может иметь положительное ( показанное на схеме) или отрицательное направление в зависимости от соотношения между рекомбинационным током и обратным током коллектора. [30]

Страницы: 1 2 3 4