Дрейфовый ток

Cтраница 1

Дрейфовый ток плотностью 0 1 А / см2 течет через кристалл германия - типа с удельным сопротивлением 5 Ом - см. За какое время электроны пройдут расстояние 5 мкм. [1]

Дрейфовый ток плотностью 10 мА / см2 течет через кристалл кремния р-типа с удельным сопротивлением 5 Ом - см. Найти среднюю дрейфовую скорость дырок и электронов. [2]

Дрейфовый ток через переход практически не зависит от приложенного напряжения: внешнее напряжение изменяет лишь скорость переноса неосновных носителей заряда, не влияя на количество переносимых носителей в единицу времени. [3]

Обратное включение ся к НУЛЮ - Эта зависимость имеет р-п перехода экспоненциальный характер. [4]

Дрейфовый ток образуется неосновными носителями заряда: электронами из р-области и дырками из я-области, при этом электрическое поле перехода способствует их перемещению в соседнюю область. [5]

Дрейфовый ток в модели свободных электронов ( рис. 4.1, а) определяется законом Ома. [6]

Электронный дрейфовый ток здесь намного больше, чем дырочный дрейфовый ток, в то время как диффузионные токи одинаковы ( но противоположного знака), поскольку De и Dh примерно равны. Поле Е зависит от величины электронного тока, которая в свою очередь зависит от граничных условий. В этом случае дрейфовая компонента 1е почти точно компенсирует диффузионную. [7]

Электронный дрейфовый ток здесь намного больше, чем дырочный дрейфовый ток, в то время как диффузионные токи одинаковы ( но противоположного знака), поскольку Д и Dh примерно равны. Поле Е зависит от величины электронного тока, которая в свою очередь зависит от граничных условий. В этом случае дрейфовая компонента 1е почти точно компенсирует диффузионную. [8]

Дрейфовый ток неосновных носителей электрических зарядов через границу раздела уменьшает интенсивность пограничного электрического поля, а диффузионный ток основных носителей электрических зарядов увеличивает его интенсивность. По мере увеличения объемных зарядов пограничного электрического поля диффузионный ток свободных носителей зарядов уменьшается. Наступает, наконец, такое динамическое равновесие, когда диффузионный ток основных носителей зарядов через границу раздела будет уравновешен дрейфовым током неосновных носителей, так что суммарный ток через границу раздела р - и я-областей полупроводника окажется равным нулю. [9]

На дрейфовый ток изменение высоты потенциального барьера не нлияет, так как этот ток определяется только количеством неосновных носителей заряда, переносимых через р-и-переход в единицу времени з результате их хаотического теплового движения. [10]

На дрейфовый ток изменение высоты потенциального барьера не влияет, так как этот ток определяется только количеством неосновных носителей заряда, переносимых через p - n - переход в единицу времени в результате их хаотического теплового движения. [11]

Зависимости удельного сопротивления от концентрации примеси ( 300 К. Сплошные линии - GaAs, пунктирные - Si. [12]

Поэтому дрейфовый ток электронов протекает в прямом направлении. Дырки перемещаются в направлении электрического поля и имеют положительный заряд. Следовательно, дрейфовый ток дырок также совпадает с направлением поля. [13]

Равновесное состояние р-п-пере-хода. [14]

Плотности дрейфовых токов электронов / пдр и дырок / рдр появляются в результате того, что неосновные носители, находящиеся вблизи перехода, под действием теплового возбуждения пар ( электрон-дырка) попадают в электрическое поле на контакте и затягиваются этим полем. [15]

Страницы: 1 2 3 4