Cтраница 3
![]() |
Распределение токов, обусловленных инжек-цией дырок.| Обратное включение р-п перехода. [31] |
При обратном включении преобладающую роль играет дрейфовый ток, который имеет небольшую величину, так как он создается движением неосновных носителей. [32]
При обратном включении преобладающую роль играет дрейфовый ток. Он имеет небольшую величину, так как создается движением неосновных носителей. Это объясняется тем, что в единицу времени количество генерируемых пар электрон-дырка при неизменной температуре остается неизменным. Это определяет выпрямительные свойства / 7-и-перехода: способность пропускать ток только в одном направлении. [33]
В общем случае для определения величины дрейфового тока необходимо использовать кинетическое уравнение для электронной функции распределения. [34]
Диффузионный ток / д уменьшится, а дрейфовый ток ], останется практически без изменений, поэтому результирующий ток через р - - переход / не будет равен нулю. Через переход пойдет ток / / д - /, который называется обратным током. При увеличении обратного напряжения сила этого тока стремится к величине - /, так как диффузионный ток / д при этом стремится к нулю. Обратный ток через р - - переход при комнатной температуре очень мал, так как он обусловлен концентрацией неосновных носителей заряда. [35]
В неоднородной плазме кроме тока проводимости и дрейфовых токов имеется еще один механизм возникновения тока, связанный с пространственной неоднородностью. [36]
При наложении электрического поля с напряженностью Е возникает дрейфовый ток, который зависит от напряженности поля и частоты столкновений носителей с кристаллической решеткой. [37]
Электронный дрейфовый ток здесь намного больше, чем дырочный дрейфовый ток, в то время как диффузионные токи одинаковы ( но противоположного знака), поскольку De и Dh примерно равны. Поле Е зависит от величины электронного тока, которая в свою очередь зависит от граничных условий. В этом случае дрейфовая компонента 1е почти точно компенсирует диффузионную. [38]
Электронный дрейфовый ток здесь намного больше, чем дырочный дрейфовый ток, в то время как диффузионные токи одинаковы ( но противоположного знака), поскольку Д и Dh примерно равны. Поле Е зависит от величины электронного тока, которая в свою очередь зависит от граничных условий. В этом случае дрейфовая компонента 1е почти точно компенсирует диффузионную. [39]
Отсюда следует, что в то время как дрейфовый ток основных носителей ( электронов) по порядку величины равен диффузионному, дрейфовый ток неосновных носителей пренебрежимо мал по сравнению с диффузионным. Таким образом, при низких уровнях инжекции следует учитывать лишь диффузионную компоненту тока неосновных носителей, а сам процесс диффузии в первом приближении можно считать не зависящим от поля. [40]
Уменьшение напряжения на переходе приводит к снижению величины дрейфового тока, а диффузионный ток остается неизменным и большим дрейфового. Через переход начинает протекать ток. Он образуется дырками, проходящими через переход в п-область, и электронами, проходящими в р-область. [41]
Дырочный ток имеет следующие две компоненты: 1) дрейфовый ток, создаваемый дырками - неосновными носителями в электронной области - при их переходе из электронной в дырочную область под действием электрического поля; 2) диффузионный ток, создаваемый дырками - основными носителями дырочной области - при диффузии их из этой области через потенциальный барьер. [42]
![]() |
Действие внешнего напряжения на р-п. [43] |
Это приводит к возрастанию диффузионного тока через переход; дрейфовый ток не изменяется. [44]
Движение неосновных носителей пр и рп через переход создает дрейфовый ток ( две его составляющие), направленный противоположно диффузионному току. Дрейфовый ток, называемый тепловым, обусловлен нагреванием кристалла; его называют также обратным током, поскольку он противоположен току диффузии. [45]