Дрейфовый ток

Cтраница 4

У дрейфового транзистора кроме диффузионного тока в базе течет и дрейфовый ток, создаваемый полем базы. Распределение концентрации неравновесных носителей в базе дрейфового транзистора имеет вид, показанный на рис. 3 - 7, в. В этом транзисторе изменение толщины базы влияет на состояние эмиттерного перехода значительно слабее, чем у бездрейфового. Поэтому толщина базы у дрейфового транзистора при изменении режима практически остается неизменной. [46]

Таким образом, внутреннее электрическое поле - - перехода создает дрейфовый ток неосновных носителей заряда. Этот ток направлен встречно диффузионному току основных носителей заряда. [47]

Диффузионный ток для электронов и дырок в запирающем слое значительно меньше дрейфового тока, и его можно не учитывать. [48]

Прямое ( а и обратное ( б включение р-п-перехода. [49]

Уменьшение потенциального барьера приводит к возрастанию диффузионного тока и уменьшению встречного дрейфового тока. Результирующий ток ( его называют прямым) совпадазт с диффузионным. [50]

При низком уровне инжекции геКЛ Б, поле мало и дрейфовым током электронов в базе можно пренебречь. При высоком уровне инжекции rt3 / Vg, максимальное значение поля в большей части базы стабилизируется на уровне фт / t и дрейфовый ток электронов становится равным диффузионному. Это связано с тем, что электрическое поле в базе, уравновешивая диффузию основных носителей заряда - - дырок, в то же время ускоряет движение неосновных носителей заряда - электронов - от эмиттера к коллектору. [51]

Безразмерные J - U-характеристики для значений / 5, 3, 2 и 1 с учетом диффузии. Четыре верхние штриховые линии - стандартные зависимости для режима ТОПЗ при указанных значениях величины /, однако без учета диффузии. Нижняя штриховая линия соответствует соотношению / gu, где g - низковольтная проводимость. [52]

Если при малых напряжениях диффузионные токи становятся сравнимыми по величине с дрейфовым током, то вышеприведенные выражения для ТОПЗ являются несостоятельными. По контрасту с обыкновенной теорией, где пренебрежение диффузией дает Е ( 0) - 0 и Е ( 1) U / L, более полная теория, учитывающая диффузию, приводит к следующим граничным условиям для напряженности электрического поля: Е ( 0) - оо и Е ( 1) оо. На рис. 2.7.6 приводятся J - V -характеристики для некоторых значений /, когда оба электрода являются омическими и учтены эффекты диффузии. [53]

BOJ ная диаграмма перехода - влия. [54]

При высоких обратных смещениях общий электронный ток через переход постоянен и равен дрейфовому току Лт 2 - В этом случае диффузионным током Jn [ можно пренебречь. То же самое справедливо и для дырок. [55]

Электронно-дырочный переход. [56]

Под действием этого поля неосновные носители заряда легко перемещаются через р-га-переход, образуя дрейфовый ток, направленный навстречу диффузионному току. При отсутствии внешнего напряжения диффузионный и дрейфовый токи равны по величине и суммарный ток равен нулю. [57]

Квазиуровни Ферми при прямом ( а и обратном ( б напряжениях на переходе ( считается ср. const. Пунктиром показан электростатический потенциал в равновесном состоянии. [58]

Ферми имеют очень небольшой постоянный наклон ( градиент потенциала), характеризующий наличие дрейфового тока и омического поля в однородных слоях. [59]

Страницы: 1 2 3 4