Дырочный ток

Cтраница 1

Дырочный ток / течет в / z - область. Там дырки диффундируют в самую глубь - области и могут, вообще говоря, аннигилировать на основной массе отрицательных носителей электронов. Убыль электронов, теряемых при этой аннигиляции, восполняется током электронов из внешнего контакта материала я-типа. [1]

Дырочный ток имеет следующие две компоненты: 1) дрейфовый ток, создаваемый дырками - неосновными носителями в электронной области - при их переходе из электронной в дырочную область под действием электрического поля; 2) диффузионный ток, создаваемый дырками - основными носителями дырочной области - при диффузии их из этой области через потенциальный барьер. [2]

Дырочный ток, текущий слева направо ( рис. 564), будет тогда равен / э, и в противоположном направлении будет проходить поток добавочных электронов, образующий ток силой а / э - / э ( а - I) f3 bla. На участке АК триода ток усилится, откуда следует, что при UK const понизится потенциал точки А. Понижение потенциала точки А равно г6 ( а - 1) / э, гак как ток добавочных электронов при наших предположениях целиком проходит через базу. Таким образом, вхождение потока положительных зарядов через острие Э сопровождается не повышением, а понижением потенциала в непосредственном соседстве с Э и величина понижения пропорциональна дырочному току через острие. [3]

Дырочный ток в базе возникает из-за наличия градиента концентрации дырок и вызывает накопление в базе заряда Q6, который зависит как от инъекционной концентрации р3, так и от объема базы. [4]

Дырочный ток определяется интенсивностью света, а концентрация электронов на поверхности в полосе проводимости устанавливается сама в результате соответствующих изменений поверхностного барьера. Саморегулирование поверхностного барьера происходит благодаря тому, что область истощения уравновешивается заряженными поверхностными состояниями и ионами из раствора. [5]

Дырочный ток транзистора, обусловленный движением носителей ( дырок) в направлении, противоположном направлению движения электронов. [6]

Характеристики фотоэлементов солнечных батарей. а - спектральные характеристики. б - зависимость э. д. с. фотоэлемента от температуры. [7]

Аналогично дырочный ток в n - области компенсирует отрицательный объемный заряд, расположенный со стороны n - области вблизи п - р-перехода. [8]

Дырочный ток проводимости будет мал по сравнению с диффузионным током, если ( rfu. В наших условиях это неравенство выполняется. [9]

Поэтому дырочный ток в цепи транзистора никогда не прерывается. [10]

Поэтому дырочный ток в цепи транзистора никогда не прерывается. [11]

Если дырочный ток, питающий базу рз, превышает ток, необходимый для рекомбинации с электронами в ней, то, как следует из уравнения (11.60), транзистор типа tin-pz - tii должен питать базу п транзистора типа p - n - pz электронным током, превышающим ток, необходимый для рекомбинации с дырками. В результате градиенты концентраций неосновных носителей в базовых слоях понижаются, а коэффициенты передачи составных транзисторов уменьшаются, пока - поступающий в базу ток, обеспечиваемый соседним транзистором, не уравняется с током, необходимым для рекомбинации в базе первого транзистора. [12]

Если дырочный ток базы не изменяется во времени в пределах рассматриваемого этапа, то, зная начальное С. [13]

Временные диаграммы. [14]

Тогда дырочный ток вблизи запорного слоя и будет полным током через переход, поскольку генерацией и рекомбинацией в запорном слое пренебрегаем. [15]

Страницы: 1 2 3 4