Cтраница 3
Коэффициент инжекции определяет долю дырочного тока в полном токе носителей заряда через полупроводник. [31]
Рек - рекомбинационная составляющая дырочного тока эмиг тепн. [32]
Схема процессов накопления дырок в базе транзистора ( знак означает рекомбинацию электрона и дырки. [33] |
Таким образом, часть дырочного тока базы, равная / ЭЛ / ЭР / ДОЭ - / KI / э - / кп. [34]
Таким образом, из общего дырочного тока эмиттера jръ до коллектора доходит / Рэ / д - / Г1 а остальные дырки рекомбинируют в базовой области. [35]
Выражение в скобках примерно равно дырочному току через переход. [36]
В типичном транзисторе почти весь дырочный ток, вышедший из эмиттера и попавший на базу, собирается в области коллектора, и только жалкие остатки ( доли процента) включаются в суммарный ток с электрода базы. Сумма токов из базы и коллектора, естественно, равна току через эмиттер. [37]
Не все окислители способны увеличивать дырочный ток и уменьшать тем самым анодную поляризацию. [38]
Поскольку в очищенном ПВК наблюдаются только дырочные токи, можно предположить существование в нем еще какой-то примеси со слабыми акцепторными свойствами. [39]
Знак минус указывает, что диффузионный дырочный ток направлен в сторону уменьшения концентрации дырок. [40]
Коэффициент f) учитывает уменьшение дырочного тока на пути от эмиттера до коллектора, происходящее вследствие рекомбинаций. EIO называют коэффициентом переноса дырочного тока. [41]
Распределение концентрации носителей тока в р-п - р транзисторе. [42] |
Можно считать, что плотность дырочного тока / P J во всей базовой области одинакова и равна плотности дырочного тока эмиттера / рэ, так как толщина базовой области W обычно меньше диффузионной длины дырок Lp для уменьшения рекомбинационных потерь. Практически все приложенное напряжение падает на коллекторном переходе, поэтому электрическим полем в базе можно пренебречь и считать ток в базе чисто диффузионным. [43]
Полный ток эмиттера, помимо дырочного тока, создаваемого дырками, втекающими в базу, включает также электронный ток, создаваемый электронами, уходящими из базы. [44]
Физически этот коэффициент характеризует долю дырочного тока эмиттера, дошедшую до коллектора. [45]