Дырочный ток
Cтраница 2
Составляющая дырочного тока / рЕ в этом выражении не оказывает существенного влияния на работу транзистора. [16]
Отношение дырочного тока к электронному на p - n - переходе примерно равно отношению удельных проводимостей материалов базы и эмиттера, которые составляют p - n - переход, для любых напряжений смещения. [17]
 |
К расчету коэффициента. [18] |
При этом дырочный ток растет по мере удаления от - области ( djp / dx 0), а электронный - по мере приближения к ней ( djrJdx 0) ( рис. 53), при этом полный ток / остается постоянным. [19]
Кр - дырочный ток коллектора, 1Э - ток эмиттера. [20]
Так как электронные и дырочные токи получаются в результате умножения ( 4 2) и ( 4.2 а) на - е и - - е, то токи, пропорциональные Е, имеют одинаковые знаки, а токи, пропорциональные [ Н, Е ], - разные знаки. Последнее вытекает из наглядного представления о том, что электроны и дырки, движущиеся навстречу друг другу, отклоняются в магнитном поле в одну сторону. [21]
Одновременно с дырочным током существует электронный ток, который в кристаллическом триоде типа р-п - р течет от базы к эмиттеру благодаря напряжению на эмит-терном переходе. [22]
Таким образом, дырочный ток через диод прямо пропорционален градиенту концентрации носителей заряда в базе, причем коэффициент пропорциональности не зависит от концентрации носителей. В выражении (3.94) коэффициент диффузии удвоен, что отражает влияние электрического поля в базе диода. [23]
При этих предположениях дырочный ток, инжектируемый внутрь базы у перехода У2, равен току, собираемому переходом Л, так что ток / В ( избыточный базовый ток) теперь равен нулю. [24]
Таким образом, дырочный ток через диод прямо пропорционален градиенту концентрации носителей заряда в базе, причем коэффициент пропорциональности не зависит от концентрации носителей. В выражении (3.94) коэффициент диффузии удвоен, что отражает влияние электрического поля в базе диода. [25]
Эта составляющая создает дырочный ток 1Р ДИф. Справа налево через тот же переход проходит часть диффузионного потока электронов, образующая сквозную составляющую электронного потока, создающая электронную составляющую тока / диф. [26]
Таким образом, дырочный ток через диод прямо пропорционален градиенту концентрации носителей заряда в базе, причем коэффициент пропорциональности не зависит от концентрации носителей. В выражении (3.94) коэффициент диффузии удвоен, что отражает влияние электрического поля в базе диода. [27]
 |
Токи в планарном транзисторе при нормальном активном режиме работы. [28] |
Аналогично можно определить диффузионный дырочный ток в эмиттере, но при этом следует учитывать, что толщина эмиттерной области шэ больше Lp - диффузионной длины дырок в эмиттере. [29]
При х - 0 дырочный ток 1р намного превышает электронный ток. [30]
Страницы: 1 2 3 4