Туннельный ток

Cтраница 1

Туннельный ток, как и оптическое возбуждение, связан с переходом из зоны в зону. Поэтому возможны два тина туннельных переходов. Если вершина валентной зоны находится в той же точке р-пространства, что и дно зоны проводимости, то происходят прямые переходы. [1]

Туннельный ток резко увеличивается, так как возрастает интервал туннелирования и число электронов в нем. При повышении температуры ширина запрещенной зоны незначительно уменьшается ( см. § 1.2) и напряжение пробоя снижается. Таким образом, температурный коэффициент напряжения туннельного пробоя отрицателен. [2]

Туннельный ток преобладает в тонких пленках ( d5 нм) при низких температурах, а термоэлектронный ток - в толстых пленках при высоких температурах. [3]

Зонные диаграммы и вольтамперная характеристика туннельного. [4]

Туннельный ток пропорционален числу перекрывающихся уровней в валентной зоне и зоне проводимости материалов р - и п - типа. [5]

Туннельный ток, определяемый выражением (4.14), преобладает в области низких температур. [6]

Поскольку туннельный ток не связан со сравнительно медленными процессами диффузии или дрейфа электронов, туннельные диоды являются практически безынерционными приборами. Туннельный эффект слабо зависит от температуры, поэтому туннельные диоды можно использовать в температурном диапазоне - 1004 - 150 С. [7]

Обозначим туннельный ток, создаваемый переходами электронов из зоны проводимости полупроводника типа п в валентную зону полупроводника типа р, через / т пр, а ток, обусловленный встречными переходами электронов, - через / т рп - В условиях термодинамического равновесия эти токи компенсируют друг друга: / гг7р / трп и суммарный туннельный ток через переход / т / тпр - / три равен нулю. [8]

Рассмотрим вначале туннельный ток. [9]

Существование туннельного тока возможно также в случае, если два сверхпроводника разделены тонким изолирующим слоем. Этот ток состоит из обычного тока отдельных электронов и при соответствующих благоприятных условиях из потока ку-перовских пар. Туннельный сверхток спаренных электронов был предсказан Джозефсоном [11], исходя из квантовомеханическо-го анализа процесса. [10]

Плотность туннельного тока в зависимости от свойств применяемых материалов определяется в основном изменением вероятности туннелирования электронов сквозь потенциальный барьер р-п перехода. [11]

Появление туннельного тока при этом невозможно. Наличие энергетической щели в сверхпроводнике приводит, как видно из рис. 10.11, к отсутствию соответствующих состояний, между которыми как раз и происходил бы туннельный переход. [12]

Отсутствие туннельного тока при сколь угодно малом напряжении является опытным доказательством наличия энергетической щели в энергетическом спектре сверхпроводника. Сама величина щели может быть измерена с помощью вольтметра, соответствует тому минимальному напряжению, при котором появляется туннельный ток, и хорошо соответствует предсказаниям теории. [13]

Пик туннельного тока возникает при равенстве концентраций в обеих ямах, HI n - 2 - Как и должно быть, он смещается при изменении Уц. Относительная величина пика определяет отношение когерентного и некогерентного туннелирования. [14]

Схема включения туннельного диода ( а и диаграмма работы в режиме усиления ( б. [15]

Страницы: 1 2 3 4