Туннельный ток

Cтраница 3

Кривая зависимости плотности туннельного тока от положительного смещения, приложенного к электроду. [31]

Сравнивая характеристику туннельного тока рис. V.14 с вольтамперной характеристикой реального туннельного диода ( рис. V.10), отметим, что рассмотренная нами модель дала возможность достаточно точно определить положение максимума и минимума тока относительно оси напряжений для случая германиевого туннельного диода. [32]

На зависимость туннельного тока от напряжения существенное влияние оказывают плотности зарядов, захваченных в диэлектрике, и места их локализации. Положительный заряд в диэлектрике МДП-структуры сдвигает ВАХ в сторону меньших напряжений, отрицательный - в сторону больших. Поэтому сдвиг ВАХ МДП-структур по оси напряжений может характеризовать изменение зарядового состояния диэлектрика. [33]

С природой туннельных токов Jp и / связаны напряжения Up и Uv, соответствующие этим токам. [34]

Наряду с туннельным током через р - и-переход течет обычный диффузионный ток, связанный с тепловым возбуждением электронов из зоны проводимости - области в эту же зону р-области и дырок из р-области в тг-об-ласть. [35]

Видно, что туннельный ток появляется только при конечном напряжении, когда величина eU равна энергетической щели. При более высоких значениях напряжения кривая все более приближается к зависимости, характеризующей туннельный переход между двумя нормальными металлами. [36]

При абсолютном нуле туннельный ток будет отсутствовать до тех пор, пока напряжение не достигнет примерно величины - ЧъЕе. Тогда заполненные состояния на одной стороне контакта будут находиться против незаполненных состояний на другой его стороне и ток с возрастанием напряжения будет быстро расти. Eg, наблюдался бы туннельный ток, что и показано на диаграмме. [37]

При абсолютном нуле туннельный ток будет отсутствовать до тех пор, пока напряжение не достигнет примерно величины Va g - Тогда заполненные состояния на одной стороне контакта будут находиться против незаполненных состояний на другой его стороне и ток с возрастанием напряжения будет быстро расти. При температурах, отлиршх от О К, некоторые возбужденные электроны оказались бы выше энергетической щели и при разности потенциалов, меньшей чем Va g - наблюдался бы туннельный ток, что и показано на диаграмме. [38]

Энергетическая диаграмма ( а и вольт-амперные характеристики ( б обращенных диодов. [39]

Согласно энергетической диаграмме туннельный ток в таком диоде имеет место только при обратных напряжениях на диоде; туннельный эффект возникает при очень малых обратных напряжениях. Соответственно обратные токи в таких диодах будут велики при малых обратных напряжениях. Вольт-амперная характеристика диода при обратных напряжениях аналогична обратной ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода. [40]

Другой иллюстрацией является туннельный ток в туннельном диоде, который сильно зависит от эффективной массы, а также от энергетического зазора между зоной проводимости и валентной зоной в полупроводнике. Ширина этого зазора ( запрещенной зоны) также эффективно ограничивает величину допустимого напряжения, которое может быть приложено к данному туннельному диоду. [41]

Вольт-амперная хар-ка туннельного диода. [42]

В этом случае туннельный ток должен был бы прекратиться. При дальнейшем повышении положит, напряжения резко меняется физ. Он становится обычным током неосновных носителей, к-рый принято называть диффузионным. Его механизм ничем не отличается от механизма тока обычных диодов. [43]

Избыточный ток представляет собой туннельный ток через состояния в запрещенной зоне [ 4 - 6J; он обусловлен глубокими примесными уровнями в запрещенной зоне, которые образуются при наличии неконтролируемых примесей или дефектов кристаллической структуры. Радиоактивное облучение туннельного диода приводит к образованию дефектов. Плотность дефектов растет с увеличением интегрального потока частиц. Это приводит к увеличению избыточного тока, в результате чего вольтамперная характеристика туннельного диода деформируется: ток минимума / 2 растет, и при некоторой предельной дозе облучения участок отрицательного сопротивления исчезает. [44]

В этом случае прямой туннельный ток имеет максимальное ( пиковое) значение. [45]

Страницы: 1 2 3 4