Туннельный ток

Cтраница 2

Помимо туннельных токов, в туннельном диоде существует ток iK, обусловленный обычными переходами носителей. Поэтому после прекращения туннельных переходов ток диода не равен нулю. [16]

Кроме туннельного тока через тот же P - jV - переход ( как и через обычный) протекает диффузионный ток / д, обусловленный встречным протеканием электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. [17]

Зависимость туннельного тока от разности потенциалов двух сверхпроводников при температурах, очень близких к абсолютному нулю. [18]

Осциллограммы вольт-амперных характеристик, о - обращенный диод. б - туннельный дкод. [19]

Электроны туннельного тока движутся приблизительно со скоростью света, поэтому время пробега получается чрезвычайно малым. Благодаря этому скорость переключения и частотный диапазон у туннельных диодов, работающих в р - v области, ограничиваются главным образом емкостью р-п перехода, образующей с отрицательным сопротивлением Ru постоянную времени КЯСЯ. [20]

Кроме туннельного тока, через рассматриваемый р - п-переход ( как и через обычный) проходит диффузионный ток / д, создаваемый перемещением электронов и дырок проводимости. [21]

Плотность туннельного тока получается путем умножения рассмотренной вероятности на некоторые параметры валентной зоны, а также на напряженность поля. [22]

Ua, прямой туннельный ток начинает резко убывать до некоторого минимального значения / МИн. [23]

Максимальный результирующий сверхпроводящий туннельный ток можно найти путем интегрирования площади под кривой четной симметрии. [24]

Для существования туннельного тока при небольших напряжениях на р-п переходе необходимо, во-первых, чтобы переход был достаточно узким и, во-вторых, чтобы с обеих сторон р - п перехода имелись изоэнергетические уровни, между которыми возможны туннельные переходы. Для этого, как р -, так и n - области туннельного диода должны быть вырожденными. [25]

Устройство сканирующего тунельного микроскопа. 1 - зонд, 2 - изучаемый объект, 3 - дисплей, 4 - система обратной связи. [26]

Характерная величина туннельного тока составляет 10 - 9 А, при V - - 0 01 В и S - 10 А. Из соотношения (8.37) следует, что при изменении расстояния на 1 Авеличина туннельного тока изменяется на порядок. [27]

Вольтамперные ха-рактеристики для обычного ( тире, обращенного ( точка - тире и туннельного ( сплош-пая линия диодов. [28]

Темп-риал зависимость туннельного тока определяется зависимостью EF и Дй1 от темп-ры Т, а также числом фононов, обусловливающих непрямые туннельные переходы. С ростом Т первый фактор приводит к уменьшению туннельного тока, а второй и третий - к увеличению. [29]

Изучение механизма туннельного тока показывает, что в туннельном приборе заряд переносится не неосновными носителями, как это имело место во всех остальных рассмотренных ранее приборах, а основными носителями. В этом случае перенос заряда не должен быть связан с медленными процессами диффузии или дрейфа неосновных носителей. [30]

Страницы: 1 2 3 4