Толщина - базовая область
Cтраница 1
Толщина базовой области должна быть возможно малой. [1]
 |
Схема - - - транзистора. Н0 и. а в области эмитте. [2] |
Толщина базовой области d обычно делается намного меньше диффузионной длины Ьр, чтобы уменьшить потери на рекомбинацию. [3]
Толщина базовой области должна быть малой для обеспечения таких параметров, как высокий статический коэффициент усиления транзистора на малых и больших токах и высокая предельная частота. С другой стороны, для обеспечения достаточно высоких рабочих напряжений во избежание прокола толщину базы желательно выбирать как можно больше в сплавных транзисторах, а в диффузионных по крайней мере обеспечивать, чтобы она была не слишком малой. Как будет рассмотрено далее, с точки зрения исключения возможности возникновения вторичного пробоя толщину базы также целесообразно увеличивать. [4]
 |
Характеристика германиевого переключающего прибора типа р-п-р-п. Управляющий электрод присоединен к тонкой базовой области, / g 0. [5] |
Влияние толщины базовой области с дырочной проводимостью на характеристику германиевого переключающего диода ( или триода) типа р-п-р-п показано на рис. 1.1. При более широкой базовой области сопротивление прибора в состоянии включено, а также ток отключения прибора имеют более высокие значения. При толщине области базы с дырочной проводимостью, равной 1 14 мм, среднее сопротивление прибора составляет 50 ом. [6]
Изменение толщины базовой области будем рассматривать как некоторое возмущение, наложенное на решение с фиксированными границами. [7]
На толщину базовой области налагаются жесткие ограничения при необходимости получения К 100, если диффузионная дли. [8]
Диод, у которого толщина базовой области значительно больше Ln ( или Lp), называют диодом с толстой базой. [9]
Так как в структурах с очень малой толщиной базовой области должна быть мала и глубина эмиттерного перехода, то к качеству обработки поверхности полупроводникового кристалла предъявляются особо высокие требования. Для этого, в частности, необходимо проводить многократную обработку гаммой абразивов с последовательно уменьшающимся размером зерна. Соответственно с размером зерна уменьшается и толщина нарушенного слоя. При обработке окисью хрома толщина нарушенного слоя может не превосходить 0 05 мк. Если необходимо убрать и этот слой, то после шлифовки и полировки можно проводить химическое травление или электрохимическую полировку. Однако в результате химической обработки может быть потеряна плоскостность пластин, что вредно скажется на качестве фотолитографической обработки, ограничив ее разрешающую способность и, следовательно, ограничив минимально достижимые размеры элементов транзисторной структуры. [10]
Поскольку с ростом тока лавинного импульса толщина базовой области значительно изменяется, предположения о линейном распределении носителей в базе при формировании лавинного импульса, сделанные в работе [5], не могут быть применимы к транзисторам с диффузионной базой. В этих условиях величина коэффициента переноса неосновных носителей от эмиттера к коллектору может быть существенно меньше единицы, и процесс нарастания заряда в базе прекращается при напряжениях, значительно превышающих Up, рассчитанное по формуле ( 2), что можно учесть введением коэффициента / Cil в формулу ( 2), постоянного для данного типа транзистора. [11]
Параметрами, в значительной степени зависящими от толщины базовой области, являются коэффициент усиления по току hfb, предельная частота усиления по hfb, напряжение смыкания и плавающий потенциал эмиттера. [12]
Микронеоднородности удельного сопротивления могут приводить к локальному уменьшению толщины базовой области, а также к локальному увеличению электрического поля. В результате вблизи микронеоднородностеи могут снижаться напряжение прокола транзисторных структур и напряжение лавинного пробоя переходов. В настоящее время еще не найдены пути устранения мнкронеоднородностей удельного сопротивления в кремнии. Надо отметить, что чем больше диаметр слитка, тем более резко они выражены. [13]
Помимо того, что эффект оттеснения вызывает неконтролируемое локальное изменение толщины базовой области, он может приводить к ухудшению электрических свойств транзисторных структур. [14]
При увеличении коллекторного напряжения UK ширина перехода Хк увеличивается, а толщина базовой области d d0 - Хк ( С / к) уменьшается; при этом чем меньше ширина базовой области о. [15]
Страницы: 1 2 3 4