Толщина - базовая область
Cтраница 3
 |
Постепенное изменение дефекта при одновременной диффузии в я - кремний бора из плоского источника и фосфора из точечного загрязнения. [31] |
Если распределение частичек загрязнений по содержанию в них фосфора имеет вид, близкий к нормальному, то можно показать, что в этом случае максимально достижимая площадь структуры будет зависеть от толщины базовой области-чем меньше будет толщина базовой области ( при постоянной глубине коллекторного перехода), тем меньшие площади структуры можно будет получать с достаточно высоким процентом выхода. [32]
В случае контакта с таким материалом, как карбид кремния, с учетом того, что L 1 6 10 - 5 см, для а 1 ом-1 см-1 и i 5 103 а / см2 область повышенной концентрации простирается на расстояние L 5 10 - 5 см, что намного меньше толщины базовой области. [33]
В случае контакта с таким материалом, как карбид кремния, с учетом того, что L 1 6 10 - 5 см, для сг 1 сш - см-1 и i 5 10s а / см область повышенной концентрации простирается на расстояние L 5 - 10 - 5 см, что намного меньше толщины базовой области. [34]
Дело в том, что структура сплавных транзисторов и транзисторов, изготовленных способом двусторонней диффузии, такова, что пространственный заряд коллекторного перехода расширяется в них в базовую область. Поэтому толщина базовой области между эмиттером и коллектором у этих типов приборов велика и, как правило, составляет 20 - 60 мк. [35]
Однако первый способ ограничен возможностями применяемой для производства тиристоров диффузионной технологии, которая не позволяет получать диффузионную базовую область тоньше 15 н - 20 мкм без существенного ухудшения других параметров тиристора. Уменьшение толщин базовых областей приводит прежде всего к существенному снижению напряжения переключения. Поэтому разрабатываются другие технологические методы получения тиристоров - эпитаксиальный и элионный. Ожидается, что сочетание этих методов с диффузионным позволит создать тиристоры с малым временем включения без уменьшения напряжения переключения. [36]
Следует отметить, что сокращение времени жизни неосновных носителей должно сопровождаться уменьшением толщин базовых областей, так как в противном случае условие переключения aj а2: г 1 может не выполняться вследствие снижения коэффициентов передачи Oj и а2 - При этом напряжение включения тиристора падает. Если же толщины базовых областей изменяются мало, то возрастают постоянный отпирающий ток управляющего электрода, а также время включения, падение напряжения на открытом тиристоре и удерживающий ток. [37]
Для повышения чувствительности ФТ к освещению необходимо снизить рекомбинацию генерированных светом неосновных носителей в областях структуры, что достигается уменьшением толщины областей до величин, меньших диффузионных длин. Но уменьшение толщины базовых областей приводит к тому, что ФТ с хорошей спектральной чувствительностью получаются низковольтными. Этот недостаток устраняется в многоколлекторных ФТ. [39]
Поскольку принцип действия всех типов биполярных транзисторов основан на взаимодействии р-п переходов, то понятно, что это взаимодействие будет тем сильнее, чем меньше расстояние между ними. Поэтому биполярные транзисторы изготавливаются с толщиной базовой области, определяющей расстояние между переходами, не более 1 мкм. [40]
 |
Зависимость относительной чувствительности S-фототранзистора от уровня освещенности. [41] |
Следует отметить противоречивость некоторых требований к фототранзисторам. Для получения большого усиления необходимо уменьшать толщину базовой области, снижать удельное сопротивление и время жизни но сителей. Одновременно для достижения высокой фоточувствительности толщина базы и время жизни должны быть велики. Инерционность фототранзисторов определяется временем жизни. Топология фототранзистора-должна обеспечивать поглощение всего излучения в области объемного заряда коллектора. Для этого, как и в случае p - i-л-диода, фототранзистор должен иметь широкую / - область в структуре. Некоторые из этих противоречий могут быть разрешены созданием интегральных фотоприемников. [42]
Интуитивно можно ожидать, что возмущение, приложенное к эмиттеру показанного на фиг. Соответственно надо ожидать, что свойства и толщина базовой области, а также время пролета неосновных носителей через базу, сильно влияют на скорость переключения и частотные свойства прибора. [43]
 |
Магнитооптические свойства веществ. [44] |
Наиболее отчетливо этот эффект проявляется при несимметричном р-п переходе и широкой базе, т.е. когда концентрация равновесных носителей заряда, например, в р-области много больше, чем в - области, и расстояние между р-п переходом и контактом значительно превышает длину диффузионного смещения носителя заряда до рекомбинации. Тогда прямой ток очень сильно зависит от отношения толщины базовой области d к диффузионной длине L и практически все напряжение при прямом смещении приходится на базу, а напряжение на р-п переходе составляет малую его долю. [45]
Страницы: 1 2 3 4