Толщина - базовая область
Cтраница 2
На рис. 1.33 приведена зависимость сопротивления базы от уровня инжекции и толщины базовой области. [16]
Следует отметить, что сокращение времени жизни неосновных носителей должно сопровождаться уменьшением толщин базовых областей, так как в противном случае условие переключения aj а2: г 1 может не выполняться вследствие снижения коэффициентов передачи Oj и а2 - При этом напряжение включения тиристора падает. Если же толщины базовых областей изменяются мало, то возрастают постоянный отпирающий ток управляющего электрода, а также время включения, падение напряжения на открытом тиристоре и удерживающий ток. [17]
Таким образом, выбор расстояния от поверхности кристалла до эмиттерного перехода и выбор толщины базовой области могут быть осуществлены в довольно широких пределах, если требуется обеспечить не особо высокую предельную частоту, а только достаточно большой коэффициент усиления по постоянному току. [18]
Увеличение повторяющихся импульсных напряжений в закрытом состоянии тиристоров требует применения более высокоомного кремния и соответствующего увеличения толщины базовой области с электронной электропроводностью. Увеличиваются при этом и потери активной площади из-за увеличения ширины фаски. Для обеспечения приемлемых значений импульсных напряжений в открытом состоянии в этом случае требуется увеличение времен жизни неосновных носителей в базах тиристора, особенно в толстой высокоомной базе. Тем не менее с ростом повторяющихся напряжений тиристоров при прочих равных условиях увеличиваются времена включения, времена выключения, повышаются импульсные напряжения в открытом состоянии и снижаются ударные неповторяющиеся токи и критические скорости нарастания тока в открытом состоянии. [19]
Исследования этого эффекта показали, что он зависит от концентрации базовой примеси вблизи эмиттерного перехода и от толщины базовой области. Он практически не проявляется, если концентрация базовой примеси у перехода намного меньше, чем 1018 ат / см3 и если толщина базовой области под эмиттером больше чем 2 мк. По всей видимости процесс оттеснения происходит во время охлаждения структур после диффузии эмиттера. Во всяком случае установлено, что при более медленном охлаждении явление оттеснения может быть выражено гораздо сильнее, чем при быстром. [20]
 |
Аппроксимированная прямая ветвь. [21] |
Следует отметить, что время включения уменьшается при повышении напряжения вследствие усиления эффекта лавинного умножения и уменьшения толщины базовых областей. Однако увеличение напряжения до значения, превышающего Напряжение лавинного пробоя, не приводит к заметному уменьшению времени включения. [22]
 |
Конструкция структуры сплавного транзистора.| Конструкция структуры транзистора, изготовленного методом диффузии. [23] |
Конструкция сплавного кремниевого транзистора представлена на рис. 6.2. В исходной пластине n - типа выполнен паз для уменьшения толщины базовой области транзистора. Эмиттер-ный и коллекторный переходы получены в процессе сплавления алюминиевых навесок с кремниевой пластиной. Базовый контакт получен сплавлением навески сплава золота с сурьмой. Сурьма при рекристаллизации расплава задерживается в кристаллической решетке кремния и обеспечивает получение п - слоя и создание омического контакта к кремнию. [24]
Действительно, если рассмотреть в качестве примера транзисторную структуру, показанную на рис. 6 - 3, то при толщине пластины около 200 мк толщина базовой области должна составлять 15 - 20 мк. Не уточняя относительной сложности процессов механической обработки и диффузии, можно грубо считать, что это соответствует 0 3 % для механической обработки и 0 6 % для диффузионных процессов. Следовательно, толщина пластины должна при шлифовке быть выдержана с точностью 0 6 мк, а точность проведения диффузии должна составить 1 2 мк. [25]
Применение фототранзисторов и улучшение параметров этих приборов затрудняет, в частности, следующее обстоятельство: высокий коэффициент передачи и малое время переключения требуют уменьшения толщины базовой области, что обычно приводит к снижению фоточувствительности прибора. [26]
 |
Распределение концентрации носителей тока в р-п - р транзисторе. [27] |
Можно считать, что плотность дырочного тока / P J во всей базовой области одинакова и равна плотности дырочного тока эмиттера / рэ, так как толщина базовой области W обычно меньше диффузионной длины дырок Lp для уменьшения рекомбинационных потерь. Практически все приложенное напряжение падает на коллекторном переходе, поэтому электрическим полем в базе можно пренебречь и считать ток в базе чисто диффузионным. [28]
В преобразователях, выполненных на мощных высокочастотных дрейфовых транзисторах, после выхода транзистора из режима насыщения ток коллектора сразу начинает уменьшаться, что свидетельствует об отсутствии у дрейфовых транзисторов эффекта модуляции толщины базовой области. [29]
Таким образом, оказывается, что разрешающая спо - аобность сплошного сканистора п, зависящая от апер - Пгуры и растекания, сложным образом связана с удель - M сопротивлением и толщиной базовой области, а так-изменяется с изменением освещенности сканистора. [30]
Страницы: 1 2 3 4