Толщина - подложка
Cтраница 1
Толщина подложки составляет 25 - 50 мк. Для покрытия барабанов и дисков наряду с ферролаком используются сплавы на основе никеля и кобальта, наносимые на подложку гальваническим путем. В качестве материала подложки для магнитного слоя в ЗУ на дисках и барабанах обычно применяют медь. В ЗУ на дисках и барабанах толщина подложки колеблется от 25 до 100 мк. [1]
Толщина подложки составляет 25 - 50 л / с. Для покрытия барабанов и дисков наряду с ферролаком используются сплавы на основе никеля и кобальта, наносимые на подложку гальваническим путем. В качестве материала подложки для магнитного слоя в ЗУ на дисьах и барабанах обычно применяют медь. Для уменьшения веса диски изготавливают из алюминиевого сплава, на который наносят медгую подложку. В ЗУ на дисках и барабанах толщина подложки колеблется от 25 до 100 мк. [2]
Толщина подложки не ограничивается, и для уменьшения контрастности может быть нанесен поляризационный слой. Перед осаждением металла может быть нанесен противоотражающий слой. Эти покрытия имеют толщину порядка нескольких микрометров, поэтому затуханием из-за поглощения можно пренебречь. [3]
 |
Конструкция микропо-лосковой линии в разрезе. [4] |
Толщину подложек микросхем СВЧ выбирают исходя в основном из технологических возможностей; она соответствует ряду 0 5; 0 75; 1 мм. [5]
 |
График для определения поправки г на анизотропию углового распределения р-излучения от толстого слоя. [6] |
Если толщина подложки при экспериментальном определении поправки на самопоглощение не превышает 0 1 А - / а-0 3 Д / 1 обратным рассеянием можно пренебречь. [7]
Обычно толщина подложки не должна превышать 100 - 200 А. Кроме того, подложка должна обладать соответствующей механической прочностью и устойчивостью по отношению к бомбардировке электронами и не иметь собственной структуры. [8]
Обычно толщина подложек, выполняемых в виде тонких пленок, не превышает 100 - 200 А. [9]
Когда толщина подложки не играет существенной роли, можно использовать для нанесения осадка рентгеновскую пленку, отмытую от соли серебра. В этом случае осадок суспендируют в дистиллированной воде. Вещество осаждается на желатиновом слое и после высушивания закрепляется на нем прочно. [10]
Уменьшение толщины подложки обеспечивает малые потери на излучение, снижение вероятности возбуждения поверхностных волн, а также уменьшение ширины проводника W при сохранении постоянного значения волнового сопротивления и уменьшение ширины зазоров между проводниками в абсолютных единицах длины. Эти факторы приводят к повышению степени интеграции интегральной схемы. [11]
Уменьшение толщины подложки также снижает рассеяние, однако полностью отказаться от положки конструктивно не представляется возможным. При очень большой толщине подложки достигается насыщение о-братного рассеяния и толщина уже не оказывает влияния на регистрируемую скорость счета. Это наблюдается при толщине подложки, превышающей 0 2 максимального пробега бета-частиц, что для алюминия и стекла составляет около 1 мм. [12]
А - толщина подложки; t - толщина покрытия; т - радиус стержня, вокруг которого обертывается покрытие. [13]
 |
Схема нагружения подложки внутренними напряжениями, возникшими в полимерном покрытии. [14] |
Пуассона и толщина подложки соответственно. [15]
Страницы: 1 2 3 4