Толщина - подложка
Cтраница 3
 |
Схема устройства для трафаретной печати. [31] |
Малый допуск на длину, ширину и толщину подложек, а также требования высокой точности расположения отверстий и незначительного изгиба подложек необходимы для успешного выполнения последующих операций печатного монтажа. Как отмечалось ранее, материал подложки по своим физическим и химическим свойствам должен быть совместим с материалом пасты, применяемой для получения толстой пленки. Предприятия, выпускающие такие пасты, обычно гарантируют, что они совместимы по составу со стандартными материалами для подложек. Однако напоминание о том, что пасты и подложки должны соответствовать друг другу по своим свойствам, будет нелишним для тех, кто самостоятельно готовит пасты специального состава. Для того чтобы избежать появления механических напряжений, трещин, отслаивания и необратимых изменений свойств пленок, коэффициенты теплового расширения полностью отожженной пасты и материала подложки должны иметь максимально близкие значения. [32]
Ниже приводится пример уменьшения размеров транзисторов по толщине подложки, что также сущест - 1.2. Транзистор на сверх-венно повышает их быстродействие. [33]
В уравнение ( 111 - 13) входит толщина подложки / г, поскольку движущая сила - dn / dx уравновешивается трением пленки о подложку. Для подложек толщиной больше - 0 2 см эта зависимость не выполняется. Авторы работы [29] нашли, что скорость растекания различных спиртов на водных подложках ( бесконечной глубины) фактически пропорциональна - dn / dx и слабее чем обратно пропорционально зависит от вязкости подложки. [34]
Требуемую толщину одно - и двусторонних ПП обеспечивают подбором толщины подложки в соответствии с ТУ и стандартами на материалы ПП. Для МПП необходимую толщину получают подбором толщин материалов печатных слоев и склеивающих прокладок. При этом суммарную толщину склеивающих прокладок рекомендуется выбирать не меньше чем две толщины проводников, располагающихся на внутренних слоях. [35]
 |
Ионизация ( 5-частицами. [36] |
Этот эффект обратного рассеяния возрастает с увеличением атомного веса и толщины подложки до тех пор, пока не будет достигнута толщина, полностью поглощающая отраженные частицы. [37]
При этом расстояние от токонесущих проводников до горизонтальных экранов кратно толщине подложки ОИС. При проектировании желательно, чтобы это расстояние не превышало толщины одного слоя. Увеличение расстояния связано с дополнительными выборками в соседних слоях, что ограничивает возможности размещения в них БЭ ИС, повышает несанкционированный переход на высшие типы волн ( колебаний) и пр. [38]
Другими факторами, влияющими на качество пленок, являются плоскопараллельность и толщина подложки. Толщина керамических подложек одной партии может колебаться в пределах от О до 0 1 мм, что приводит к некоторой неравномерности по толщине пленок. Для устранения влияния толщины подложки на процесс трафаретной печати разработаны устройства автоматического регулирования высоты положения ракеля без изменения давления на трафарет. Однако наилучшие результаты получены при калибровке подложек при заданной высоте ракеля. Существуют автоматические системы для сортировки керамических подложек. При этом расхождение по толщине в 0 025 мм считается допустимым для подложек одной партии. Важную роль в получении хорошего отпечатка играют сам ракель и способ его закрепления. Материал ракеля не должен взаимодействовать с растворителями паст, так как это может привести к изменению консистенции пасты и деформации отпечатка. Рабочая кромка ракеля должна быть острой для того, чтобы она плотно прилегала к поверхности трафарета. Чем меньше твердость материала ракеля, тем плотнее он прилегает к подложке, тем меньше срок его службы и больше вероятность деформации ракеля в процессе печати. [39]
Если волновое сопротивление микрополосковой линии с шириной проводника 60 мкм ( при толщине подложки 0 6 мм) равно примерно 100 Ом, то в линии с подвешенной подложкой при соответствующих значениях b и h и расстоянии Я 3 мм оно составляет 160 Ом. [40]
 |
Поправочный коэффициент у. для источников тепла. различной формы в зависимости от отношения dl. [41] |
Заметим, что для источника тепла квадратной формы, сторона которого менее половины толщины подложки ( rf / / i0 5), тепловое сопротивление не зависит от толщины подложки. [42]
 |
Зависимость ухода частоты. [43] |
Как видно из рис. 7.4, для всех изученных материалов при всех исследуемых толщинах подложек наблюдается один и тот же характер зависимости, причем при Hid 5 смещенная резонансная частота достигает практически предельного значения. [44]
Как и при испытаниях методом изгиба на стержнях, необходим -:, указывать толщину подложки, толщину пленки и температуру помещения. Если пленки очень эластичны, металлическая пластинка часто разрушается раньше самой пленки. [45]
Страницы: 1 2 3 4