Толщина - слой - диэлектрик
Cтраница 1
 |
Коаксиальная линия с ферритами. [1] |
Толщина слоя диэлектрика 2 выбирается с учетом необходимой величины волнового сопротивления. При этом обычно используется феррит с прямоугольной кривой намагничивания. Прежде чем произвести оценку времени формирования фронта импульса в такой линии, необходимо более подробно рассмотреть процесс образования ударной волны в более простом случае. [2]
Толщина слоя диэлектрика мишени определяется условиями получения возбужденной проводимости при не очень больших энергиях электронов записывающего пучка. Максимальное значение возбужденная проводимость имеет тогда, когда глубина проникновения электронов не меньше толщины слоя. Например, для большинства диэлектриков, применяемых в качестве мишеней потенциа-лоскопов ( кварц, фтористый магний, фтористый кальций), глубина проникновения электронов при энергии 10 кэв оказывается менее 1 мкм. Поэтому оптимальной толщиной следует считать величину 0 5 - 0 8 мкм при энергии записывающего пучка 10 - 12 кэв. [3]
Уменьшение толщины слоя диэлектрика под затвором может также привести к недопустимому уменьшению пробивного напряжения этого слоя между затвором и стоком. [4]
Уменьшение толщины слоя диэлектрика du ведет к увеличению крутизны и снижению порогового напряжения, но приводит к нежелательному возрастанию емкости затвора. [5]
Уменьшение толщины слоя диэлектрика под затвором может также привести к недопустимому уменьшению пробивного напряжения этого слоя между затвором и стоком. [6]
На автомате толщина засыпаемого слоя диэлектрика регулируется высотой ступени дозирующего барабана. По окончании засыпки пуансон спрессовывает слой стеклоэмали или стеклокерамики. После опрессовки каждого слоя диэлектрика матрица продвигается под пульверизационное устройство. Пульверизатор срабатывает и наносит на слой диэлектрика серебряную пасту через специальное окно в трафаретной ленте. [7]
Поскольку емкость конденсатора обратно пропорциональна толщине слоя диэлектрика, можно подсчитать отношение J / C, которое в действительности является емкостной толщиной пленки. Автору удалось установить большую разницу между величиной емкости пленки такого сплава, как циркалой 2, в котором не происходит отслаивания защитной пленки, и других материалов, коррозия которых прямо пропорциональна времени и на пленках которых, очевидно, значительно больше трещин. Чтобы избежать этого изменения емкости, вызываемого изменением толщины пленки, и чтобы иметь возможность сравнивать защитные свойства пленок путем приведения к нормальным условиям, необходимо разделить значение емкости на величину W, представляющую увеличение веса образца, которое пропорционально общей толщине пленки. [8]
Это напряжение зависит от свойств и толщины слоя диэлектрика конденсатора. [9]
 |
Электролитические конденсаторы 70. [10] |
Это напряжение зависит от свойств и толщины слоя диэлектрика конденсатора. Керамические, слюдяные, бумажные и метал-лобумажные конденсаторы различных типов рассчитаны на номинальные напряжения от 150 до 1000В и более. Электролитические конденсаторы выпускают на номинальные напряжения от нескольких вольт до 30 - 50 В и от 150 до 450 - 500 В. В связи с этим их подразделяют на две группы: низковольтные и высоковольтные. [11]
Таким образом, эквивалентная емкость зависит от толщины слоя диэлектрика. При высокой частоте такое выражение для Ср справедливо для всех температур. [12]
Здесь величина х представляет собой относительное значение толщины слоя первого диэлектрика по отношению к суммарной толщине комбинированного диэлектрика. [13]
 |
Блок-схема прибора ИТП-476.| Принципиаль - / ная схема прибора типа Т i л - - ППМ-6М. с. [14] |
Емкостный метод основан на зависимости емкости конденсатора от толщины слоя диэлектрика между обкладками. Обкладками конденсатора служат спец. Метод применим для контроля непроводящих покрытий. [15]
Страницы: 1 2 3 4