Толщина - слой - диэлектрик
Cтраница 3
В толщиномерах емкостного типа лента каландруе-мого материала, пропускаемая между двумя изолированными электродами, образует конденсатор, емкость к-рого зависит от толщины слоя диэлектрика. Эти изменения емкости определяют компенсационным методом. Результаты измерений позволяют судить о толщине каландруемого материала с точностью 10 - 20 мкм. В радионзотопных толщиномерах обычно применяют источник Р - ИЗлучения. [31]
Сравнение точного решения с решением в приближении физической оптики показывает, что последнее качественно правильно описывает характер зависимости амплитуды отраженного поля от толщины слоя диэлектрика. Однако в области малых электрических толщин различие между точным решением и приближением физической оптики достигает больших значений. Это явление характерно не только для однослойных, но и, как будет показано ниже, для многослойных поглотителей. Поскольку именно эта область является существенной для всех реальных многослойных радиопоглощающих материалов ( РИМ), необходимо выяснить, с чем связано и какими факторами обусловливается такое расхождение. С этой целью проанализируем распределение неравномерной составляющей токов на внешней поверхности ( рис. 46), поскольку именно неравномерными токами определяется различие между точным решением и решением в приближении физической оптики. [32]
Работа толщиномеров емкостного типа основана на том, что лента каландруемого материала, пропускаемая между двумя изолированными электродами, образует конденсатор, емкость которого изменяется в зависимости от толщины слоя диэлектрика. [33]
Многорезонаторный фильтр выполняется путем многослойного набора диэлектрических подложек, на разные стороны которых нанесены слои металла НЩЛ. Связь между резонаторами экспоненциально уменьшается при увеличении толщины слоя диэлектрика. [34]
Эта емкость определяется относительной диэлектрической проницаемостью и толщиной слоя диэлектрика под затвором. [35]
В простейшем случае конденсатор постоянной емкости представляет собой две металлические поверхности, между которыми помещен диэлектрик. Величина емкости определяется площадью металлической поверхности, толщиной слоя диэлектрика и его диэлектрической проницаемостью. [36]
Эта емкость определяется относительной диэлектрической проницаемостью и толщиной слоя диэлектрика под затвором. [37]
Очевидно, наибольшую удельную емкость можно было получать при третьем варианте, но по-видимому, предпочтение было отдано первому как более простому, чем, третий, и более надежному в электрическом отношении, чем второй. Толщина фольги составляла около 4 - 6 мкм; толщина слоя диэлектрика - от 0 1 мкм; можно полагать, что практически применялись значения толщины не ниже 1 мкм. [38]
Для транзисторов с изолированным затвором необходимо помнить, что внешнее напряжение делится на последовательно соединенных емкостях изоляционного слоя и параллельно соединенных емкостях поверхностных состояний и объемного заряда в канале. Этими соображениями определяется выбор пары диэлектрик - полупроводник и толщины слоя диэлектрика. [39]
Пробивное напряжение растет пропорционально толщине диэлектрика. Закономерность эта нарушается в очень тонком слое: при толщине слоя диэлектрика в пределах микрона электрическая прочность возрастает. [40]
 |
Изменение волнового сопротивления с ростом расстояния до.| Открытые фидерные линии. а - двухпроводная линия. б - полосковая линия. в - витая пара. [41] |
Электромагнитное поле в несимметричной полосковой линии ( НПЛ) сосредотачивается между разделенными слоем диэлектрика плоским проводником и проводящей подложкой. Волновое сопротивление НПЛ зависит от отношения ширины проводящей полоски к толщине слоя диэлектрика, а также от его диэлектрической проницаемости. [42]
Однако при этом надо иметь в виду то обстоятельство, что при уменьшении толщины слоя диэлектрика ( Ь - а) увеличивается напряженность электрического поля и диэлектрик может быть пробит. [43]
Первое объяснение причины - влияния диэлектрика на емкость заключалось в следующем. Кавендиш полагал, что электричество из металла проникает в глубь диэлектрика на некоторую конечную глубину и это приводит к уменьшению толщины слоя диэлектрика, а следовательно, к увеличению емкости. [44]
В качестве ф отопри-емника предпочтение отдают дискретным, многоэлементным ( линейным и матричным), твердотельным фотоприемникам в интегральном исполнении - ФПЗС - приборам с зарядовой связью. Каждая ячейка ФПЗС - миниатюрный конденсатор со структурой металл - оксид - полупроводник ( МОП), с толщиной слоя диэлектрика примерно 0 1 мкм. При освещении ячейки ФПЗС происходит фотогенерация электронно-дырочных пар - дырки оттесняются в глубину полупроводника, а электроны накапливаются в потенциальной яме и могут существовать, не рекомбинируя. Величина заряда электронов пропорциональна времени, освещенности и площади ячейки. [45]
Страницы: 1 2 3 4