Толщина - слой - диэлектрик
Cтраница 2
Расчет стеклокерамических и стеклоэмалевых конденсаторов заключается в определении толщины слоя диэлектрика между обкладками конденсатора, площади обкладок и количества слоев, при которых конденсаторный пакет имел бы оптимальные габаритные размеры для заданных в расчетном задании характеристик. [16]
Монолитные керамические конденсаторы КЮ-23, КЮ-17 выпускают малогабаритными с толщиной слоя диэлектрика 0 025 - 0 07 мм и используют для работы в цепях постоянного и переменного токов, а также в. [17]
 |
Зависимость напряженности появления ионизации от толщины изоляции. / - бумажно-бакелитовая изоляция ( данные завода Электроаппарат. 2 - бумажно-масляная изоляция ( данные ЛПИ. [18] |
На рис. 12 - 16 показаны зависимости радиальных напряженностей от толщины слоя диэлектриков, при которых в бумажно-бакелитовой и бумажно-масляной изоляции возникают ионизационные процессы. Как видно, для бумажно-масляной изоляции допустимы значительно более высокие напряженности и, следовательно, размеры изолятора могут быть существенно меньше. [19]
Критический ток зависит от многих причин, в частности - от толщины слоя диэлектрика. Это упрощает рассмотрение, но не меняет существа дела. [20]
 |
Конструкция датчика ( а и схема измерительной установки ( б. [21] |
Если площадь вспомогательного электрода постоянна, то емкость зависит только от толщины слоя диэлектрика. [22]
Однако при этом надо иметь в виду то обстоятельство, что при уменьшении толщины слоя диэлектрика ( Ь - и) увеличивается напряженность электрического поля и диэлектрик может быть пробит. [23]
Однако при этом надо иметь в виду то обстоятельство, что при уменьшении толщины слоя диэлектрика ( Ь - а) увеличивается напряженность Электрического поля и диэлектрик может быть пробит. [24]
Однако при этом надо иметь в виду то обстоятельство, что при уменьшении толщины слоя диэлектрика Ъ - а увеличивается напряженность электрического поля и диэлектрик может быть пробит. [25]
Примечание, е - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика; 5 - площадь обкладки см2, d - толщина слоя диэлектрика, см; N - число металлических обкладок в конденсаторе; D, - внутренний диаметр цилиндрического конденсатора; D, - внешний диаметр цилиндрического конденсатора; г - внутренний радиус сферы; г, - наружный радиус сферы. [26]
Так как изменение емкости конденсатора, состоящего из двух металлических пластин и диэлектрика между ними, зависит от толщины слоя диэлектрика и величины смещения одной из пластин, то, помещая пластины близко друг от друга, можно добиться большой чувствительности в определении перепада давления. [27]
В толщиномерах емкостного типа лента калаидрус-мого материала, пропускаемая между двумя изолированными электродами, образует конденсатор, емкость к-рого зависит от толщины слоя диэлектрика. Эти изменения емкости определяют компенсационным методом. Результаты измерений позволяют судить о толщине ка. В радионзотопных толщиномерах обычно применяют источник Р - ИЗ лучения. Об изменениях толщины судит по изменению интенсивности потока излучения, измеряемого, как правило, с помощью ионизационной камеры. Механизм автоматически регулирует размер зазора, необходимый для поддержания заданной толщины каландруемого материала. [29]
Страницы: 1 2 3 4