Толщина - слой - объемный заряд
Cтраница 1
Толщина слоя объемного заряда с ростом отрицательного напряжения на затворе изменяется незначительно. [1]
Толщина слоя объемного заряда в / г-базе силовых диодов достигает десятков и сотен микрометров. [2]
 |
Плавный р-я-переход. [3] |
Толщина слоя объемного заряда согласно (8.32) тем больше, чем ниже концентрация основных носителей, равная концентрации легирующей примеси. При этом глубина проникновения контактного поля больше в ту область полупроводника, которая легирована слабее. [4]
Толщину слоя объемного заряда Won в (13.77) для расчета плотности заряда Qjt, обусловленного обратным смещением перехода / I, определяют по (13.48) при UD & UR, где 1 / д - обратное напряжение, прикладываемое к тиристору в процессе выключения. [5]
Если же толщина слоя объемного заряда меньше длины свободного пробега, электроны в обедненной области не испытывают столкновений. Из полупроводника в металл могут перейти электроны, кинетическая энергия которых достаточна для преодоления потенциального контактного барьера. [6]
Для определения толщины слоя объемного заряда в резком р-п переходе используем тот факт, что в этом слое имеются нескомпенсированный электрический заряд, электрическое поле и потенциальный барьер на границе п - и р-областей. За пределами области пространственного заряда электрическое поле, потенциал и нескомпен-сиро анный заряд равны нулю. [7]
Произведенный расчет толщины слоя объемного заряда относится к резкому переходу, в котором концентрация примесей меняется практически скачкообразно. В случае тянутых и диффузионных переходов изменение концентрации примесей в переходе происходит плавно. [8]
Отсюда видно, что толщина слоя объемного заряда тем больше, чем меньше концентрация носителей тока. При этом, согласно ( 70), контактное поле проникает на большую глубину в ту область, где концентрация носителей меньше. [9]
Легко видеть, что толщина слоя объемного заряда увеличивается с ростом обратного напряжения. Барьерная же емкость обратносмещенного перехода, как это следует из (1.12), уменьшается с ростом обратного напряжения из-за увеличения толщины слоя объемного заряда. [10]
В [15, 16] показано, что толщина слоя объемного заряда мало меняется при переходе от свободного движения ионов к эстафетному. Следовательно, применение выражения, полученного Энгелем и Штеенбеком [9] для длины области темного катодного пространства, вполне справедливо. [11]
Из (8.51) видно, что толщина слоя объемного заряда тем больше, чем ниже концентрация основных носителей, причем из (8.49) следует, что глубина проникновения контактного поля больше в ту область полупроводника, концентрация носителей в которой меньше. [12]
 |
Сродство к электрону некоторых металлов и кислорода. [13] |
Из-за высокой концентрации электронов в металле толщина слоя объемного заряда мала; и ее можно из рассмотрения исключить. Область объемного заряда в полупроводнике, из которой ушли электроны, определяется глубиной проникновения поля в полупроводник и называется областью обеднения, или истощения. [14]
В соответствии с этим изменяется и толщина слоя объемного заряда. [15]
Страницы: 1 2 3 4