Толщина - слой - объемный заряд
Cтраница 4
Мы рассмотрели ход потенциала в р - тг-переходе, когда распределение примесей имеет крутой фронт. Конечно, получить строго прямоугольный фронт, показанный на рис. 42, а, практически нельзя. Но если ширина фронта распределения примесей меньше, чем толщина слоя объемного заряда SJ, то размытость фронта не играет существенной роли и ее можно не учитывать. [46]
Теперь, когда нами установлено, что в электронно-дырочном переходе существует область объемного заряда, дадим определение резкого и плавного электронно-дырочных переходов. Резким переходом называется такой, в котором область изменения концентрации примесей значительно тоньше области объемного заряда. Под плавным переходом понимается такой, в котором толщина области изменения концентрации примесей сравнима с толщиной слоя объемного заряда. Исходя из этих определений можно сказать, что рис. 2.10 относится к резкому переходу, так как мы предположили скачкообразное изменение концентрации примесей. Описанные нами процессы остаются качественно теми же и в плавных переходах. [47]
Опустошение глубоких уровней, коте рое происходит со скоростью е т -, ведет к изменению плотности объемного заряда с течением времени. По мере ионизации глубоких уровней электроны, переходящие в зону проводимости, быстро выносятся электрическим полем из области объемного заряда, что обеспечивает малую скорость обратного захвата электронов на глубокие уровни. По истечении некоторого времени устанавливается стационарное распределение плотности объемного заряда. Изменение плотности толщины слоя объемного заряда приводит к изменению емкостк структуры во времени. [48]
Действительно, связанный на поверхности заряд образует вокруг себя электрическое поле, которое распространяется и в глубь полупроводника. Под действием этого поля происходит перемещение подвижных носителей заряда в объеме полупроводника: отрицательный заряд на поверхности отталкивает электроны в глубь кристалла, положительный - притягивает их к поверхности. Под поверхностью образуется объемный заряд, равный по величине, но противоположный по знаку заряду, связанному на поверхности. Так как концентрация подвижных, носителей заряда в полупроводниках, применяемых для изготовления транзисторов и большинства диодов, не велика, то толщина слоя объемного заряда получается значительной. [49]
Обработка Ge озоном вызывает возрастание С. На Si она может быть понижена до 100 - 200 см / сек дополнит, обработкой после травления в 1 % - ном растворе бихромата. Это относится к случаю, когда толщина слоя объемного заряда у поверхности велика по сравнению с длиной свободного пробега. [51]
Страницы: 1 2 3 4