Толщина - слой - объемный заряд
Cтраница 2
 |
Схема устройства полевого транзистора. [16] |
Эту толщину можно менять, изменяя толщину слоя объемного заряда между р - и п-областями. [17]
Изменение Я12 при наличии приложенной разности потенциалов вызывает изменение толщины слоя объемного заряда в полупроводнике. [18]
 |
Энергетическая диаграмма гетероперехода. [19] |
Если в р - п переходе используются вырожденные полупроводники и толщина слоя объемного заряда р - п перехода мала, то появляется новый механизм прохождения тока - туннелирование через потенциальный барьер. Это явление приводит к интересным особенностям ВАХ такого перехода и используется в туннельных и обращенных диодах. [20]
Разрешающая способность измерений, зависящая от диаметра подвижного зонда и толщины слоя объемного заряда вокруг него, составляла в наших опытах десятые доли миллиметра. Ошибка, связанная с неточностью системы перемещения зонда, еще больше ухудшала разрешающую способность. Поэтому в высокочастотном раз ряде, где толщина слоя объемного разряда у электрода очень мала, получить ход потенциала в этом слое не удалось. [22]
Работа полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом основана на модуляции проводимости канала за счет изменения толщины слоя объемного заряда под действием напряжения, смещающего p - n - переход затвор-канал в обратном направлении. Поскольку зависимость толщины слоя объемного заряда от напряжения смещения для диода Шоттки совпадает с аналогичной зависимостью для резкого p - n - перехода, принцип действия полевого транзистора с барьером Шоттки не отличается от принципа действия полевого транзистора с управляющим p - n - переходом. Применение металлического затвора вместо p - n - перехода позволяет значительно уменьшить размеры структуры транзистора. [23]
В полупроводнике при этом электроны будут перемещаться от границы с металлом в глубь полупроводника, так что толщина слоя объемного заряда увеличивается по сравнению с равновесной. [25]
Рассмотрим диффузионную теорию выпрямления, которая справедлива, когда длина пробега электронов / мала по сравнению с толщиной слоя объемного заряда. [26]
Естественно, что при этом слой объемного заряда со стороны области сплавления имеет ничтожную толщину по сравнению с толщиной слоя объемного заряда в исходной пластинке. [27]
Расчет параметров р-п-р-п структуры тиристора, как и в случае р - п-п структуры диода, начинается с расчета толщины слоя объемного заряда коллекторного перехода в n - базе. Следует заметить, что (13.5) справедлива для резкого перехода. При меньших напряжениях расчет Won усложняется. [28]
 |
Структура п-р - п типа с постоянным ( а и переменным ( б распределением легирующих примесей в различных слоях. [29] |
Формула (13.24) справедлива для резкого перехода ( рис. 13.3, а), причем для случая, когда толщина высокоомной области коллектора превышает толщину слоя объемного заряда коллекторного перехода при напряжении, равном напряжению пробоя. [30]
Страницы: 1 2 3 4