Cтраница 1
Толщина реакционного слоя значительно меньше толщины диффузионного слоя ( бр б) и от перемешивания не зависит. [1]
Толщина реакционного слоя определяется26 длиной пути, который проходит электрохимически активная частица за среднее время ее жизни. [2]
Толщина реакционного слоя значительно меньше толщины диффузионного слоя ( 6 б) и от перемешивания не зависит. Это находит отражение в характере изменения ip и id с изменением 1 / со. [3]
Толщина реакционного слоя зависит также от температуры горячей и холодной стенок. Увеличение температуры как горячей, так и холодной стенки повышает среднюю температуру газового потока и тем самым увеличивает толщину пограничного слоя. В этом случае условия в холодно-горячей трубке приближаются к условиям обычной трубки. [4]
![]() |
Зависимость высоты волн гидросульфита натрия в растворе с рН 8 5 от высоты ртутного. [5] |
Толщина реакционного слоя определяется выражением. [6]
Толщина реакционного слоя Ц2 определится одной из более быстрых реакций окисления ( с константой скорости & з или &4), поскольку реакции окисления обычно более быстрые, чем стадия диссоциации комплекса А В. Толщину [ i2 заранее определить невозможно, но она не входит в конечное уравнение каталитического тока. [7]
Толщину реакционного слоя определяли на срезах ленты, применяя метод, описанный ранее в гл. [8]
Если толщина реакционного слоя намного больше, чем б, то изменение концентрации ионов в диффузной части двойного слоя практически не сказывается на средней их концентрации в пределах реакционного пространства ц и, следовательно, при ( л / б Js 1 двойной слой не оказывает влияния на предшествующие реакции с участием ионов. [9]
![]() |
Трещины в боридном слое на боре. [10] |
Когда толщина реакционного слоя превосходит критическую величину, происходит разрушение волокон при напряжении, величина которого снижается с увеличением толщины слоя. При увеличении интенсивности реакции достигается вторая критическая толщина, когда волокна разрушаются в момент растрескивания боридного слоя. [11]
Если толщина реакционного слоя больше толщины диффузного двойного слоя, влияние строения двойного слоя невелико ( см. раздел 4 гл. Повышение концентрации ионов водорода в диффузном двойном слое слабо влияет на скорость реакции, ибо реакционный слой простирается далеко за пределы диффузного двойного слоя. [12]
Если толщина реакционного слоя ц намного больше, чем б, то изменение концентрации ионов в диффузной части двойного слоя практически не сказывается на средней их концентрации в пределах реакционного пространства ц и, следовательно, при ц / б 1 двойной слой не оказывает влияния на предшествующие реакции с участием ионов. [13]
Если толщина реакционного слоя соизмерима с толщиной двойного электрического слоя, то строение двойного электрического слоя будет оказывать влияние и на объемные кинетические предельные токи. [14]
![]() |
Схема распределения концентрации в реакционном ( ji и диффузионном ( Цр слоях процесса ( III. [15] |