Толщина - эпитаксиального слой
Cтраница 1
Толщина эпитаксиального слоя может быть определена непосредственно с помощью растрового микроскопа или методом косого шлифа. [2]
 |
Системы с поворачивающейся ( а и многокамерной ( б.| Схема установки жидкостной эпитак-сии с вертикальным погружением подложки. [3] |
Толщина эпитаксиального слоя обеспечивается выбором температурного диапазона, в котором происходит охлаждение расплава, и скоростью охлаждения. После выдержки в требуемом диапазоне температур лодочка возвращается в исходное положение и расплав стекает с пластин. [4]
 |
Конструкции полосковых линий. [5] |
Толщина эпитаксиального слоя составляет 1 мкм. После осаждения окисла SiO2 толщиной 1 мкм из эпитаксиального слоя формируют мезаструк-туру ( пьедестал) путем удаления лишней части эпитаксиальной пленки, не используемой для изготовления транзистора. Формирование канала и затвора включает в себя следующие операции: вскрытие окна в виде канавки с расстоянием между стенками 2 - 4 мкм, осаждение тонкого окисла ( 0 05 - 0 12 мкм) и поликристаллического кремния затвора. Для получения тонких / - областей истока и стока производится вытравливание окон в слое SiC2 и осаждается новый окисел, легированный примесью р-типа. Этот слой окисла служит дозированным источником диффузанта при выполнении операции диффузии и формировании / - областей. [6]
 |
Температурно-временной режим жидкостной эпитаксии.| Схемы осуществления жидкостной эпитаксии в открытой системе для получения многослойных структур ( а и при групповой технологии ( 6. [7] |
Толщина эпитаксиального слоя определяется начальной температурой эпитаксии Ттах интервалом и скоростью охлаждения, а также соотнощением объема расплава и площади поверхности подложки, находящейся в контакте с расплавом. В реальных условиях при наличии в растворе примесей или в случае гетероэпитаксии насыщенный раствор и подложка оказываются в неравновесном состоянии. [8]
Расчет толщины эпитаксиального слоя выполняют в соответствии с (6.45) или (6.46) для всех имеющихся экстремумов, определяя ее среднее значение. [9]
Практическая задача эллипсометрии сводится к определению толщины эпитаксиального слоя и концентраци носителей заряда в подложке. Эти вычисления выполняют с помощью ЭВМ, результаты расчетов изображают в виде номограмм в координатах ty и А. Так как г) и А являются периодическими функциями толщины, то зависимости tjj ( A) при фиксированных значениях концентрации носителей заряда имеют вид замкнутых кривых. Каждой паре экспериментально измеренных значений г ] и А на номограмме соответствует точка, которая пош. [10]
Для типичных структур с изоляцией р-л-переходом при толщине эпитаксиального слоя 8 - 10 мкм область расплывания, отсчитанная от верхней поверхности исходной подложки р-типа, составляет 3 - 4 мкм. [11]
Этот метод так же, как и метод молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяет точно контролировать толщину полупроводникового эпитаксиального слоя. [12]
В результате получают узкие V-образные канавки ( рис. 3.6, б), глубина которых должна быть больше толщины эпитаксиального слоя. Затем поверхности канавок окисляют, наносят слой нитрида кремния и оставшуюся часть углублений заполняют поликристаллическим кремнием. При той же ширине окна в исходной маске из нитрида кремния ( 1 мкм) ширина изолирующих областей снижается до 5 мкм. В этом случае ширина изолирующей области снижается до 3 мкм. Кроме того, увеличиваются напряжения пробоя изолирующего перехода ( от 25 до 50 В) и прокола противоканальной области р типа ( от 7 до 50 В), поскольку последняя в этой конструкции не примыкает к скрытому п - слою. [13]
Однако при больших скоростях газового потока распределение концентрации реагентов по его сечению становится более однородным, что обеспечивает большую однородность толщины эпитаксиального слоя по площади подложки. Но, как было сказано раньше, это влечет за собой ухудшение структурного совершенства эпитаксиального слоя. [14]
Температурная зависимость электрофизических параметров устанавливалась при последовательном стравливании тонких слоев, что позволило рассчитать распределение ионизированных доноров и акцепторов по толщине эпитаксиального слоя. [15]
Страницы: 1 2 3 4