Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Если ты закладываешь чушь в компьютер, ничего кроме чуши он обратно не выдаст. Но эта чушь, пройдя через довольно дорогую машину, некоим образом облагораживается, и никто не решается критиковать ее. Законы Мерфи (еще...)

Толщина - эпитаксиального слой

Cтраница 2

Если а4 4 - 104см - ( GaAs; X6328 А), то условие ( 4.25 а) выполняется при толщине эпитаксиального слоя 2 - 10 мкм. Минимальное значение диффузионной длины, которое удовлетворяет условию (4.256), составляет 1 мкм.  [16]

Схемы жидкофазной эпитаксии.  [17]

Это обеспечивает постоянство коэффициентов распределения как компонентов расплава, так и легирующих примесей и, следовательно, постоянство их распределения по толщине эпитаксиального слоя. Постоянства состава расплава добиваются, подпитывая его твердой, жидкой и газообразной фазами.  [18]

Способы повышения структурного совершенства эпитаксиальных слоев в гетероструктурах путем согласования периодов решеток а подложки и слоя ( а, наращивания одного ( б или нескольких ( в переходных ( буферных слоев между подложкой и основным эпитаксиальным слоем.  [19]

Следующим параметром, определяющим качество эпитаксиальных слоев, получаемых методом жидкофазной эпи-таксии, являются уровень концентрации легирующей примеси и однородность ее распределения по толщине эпитаксиального слоя. При сильном, выше уровня концентрации собственных носителей заряда ( при температурах жидкостной эпитаксии) легировании угол наклона этого графика меняется, что объясняется влиянием кинетических факторов. К ним в первую очередь относится коэффициент диффузии.  [20]

Изопланарный транзистор с эпитакси-альной базой.  [21]

Толщина эпитаксиального слоя составляет всего 1 - 2 мкм. В транзисторах с эпитаксиаль-ной базой область объемного заряда на переходе коллектор - база распространяется преимущественно в глубь базы. Это приводит к значительному снижению напряжения пробоя коллектор - база. Отсутствие паразитных емкостей боковых поверхностей изолирующих р-п переходов, значительное уменьшение площади транзистора и паразитной емкости нижнего изолирующего р-п перехода приводят к повышению граничной частоты изопланарных транзисторов. Этому способствует также малое сопротивление цепи вывода коллектора.  [22]

Это является причиной появления в эпитаксиальных гетероком-позициях в процессе их выращивания достаточно больших напряжений несоответствия. По мере увеличения толщины эпитаксиального слоя наблюдается частичная ( или полная) релаксация этих напряжений. Релаксация может происходить либо за счет образования характерных шероховатостей на поверхности растущего слоя, либо за счет генерации в нем дислокаций несоответствия, либо путем одновременного действия обоих этих механизмов. Величины критических толщин слоев образования дислокаций несоответствия в эпитаксиальных гетероструктурах SiGe / Si очень малы. Например, при выращивании на Si-подложках эпитаксиальных слоев состава Si07Ge0 3 эта величина равна - 100 А.  [23]

В последнее время часто исходным материалом при изготовлении полупроводникового прибора или ИМС является пластина полупроводника с нанесенным эпитаксиальным слоем. В этом случае контролируются толщина эпитаксиального слоя, удельное сопротивление, однородность слоя по толщине и сопротивлению, плотность дислокаций и дефектов упаковки.  [24]

Совокупности кристаллов вольфрама, полученные в условиях пространственного ( а согласования и пространственного несогласования ( б.  [25]

Естественно, говоря о толщине монокристаллического эпитаксиального слоя, мы даем только сравнительную оценку для рассматриваемых случаев.  [26]

Метод молекулярно-лучевой эпитаксии предполагает, что монокристаллический эпитаксиальный слой AIXIBV наносится на поверхность подложки в результате напыления молекулярным пучком в сверхвысоком вакууме. Этот метод позволяет точно контролировать толщину эпитаксиального слоя путем управления количеством напыляемого материала, переносимого молекулярным пучком на подложку. Кроме того, он дает возможность измерения толщины и кристалличности эпитаксиального слоя за счет применения в процессе наращивания метода дифракции электронных лучей.  [27]

Дефекты упаковки в ав-тоэпитаксиальном слое кремния с ориентацией ( 111.| Образование дефекта упаковки в слое кремния на подложке с ориентацией по плоскости ( 111.  [28]

Как правило, образование дефекта упаковки происходит на границе с подложкой с последующим развитием его вдоль трех непараллельных плоскостей ( 111), образующих угол 70 53 к поверхности подложки. Размер стороны основания позволяет судить о толщине эпитаксиального слоя.  [29]

Типичное распределение концентраций атомов примеси в структуре эпитаксиально-планарного транзистора полупроводниковой ИМС.  [30]

Страницы:      1    2    3    4