Cтраница 4
Полученные данные приведены на рис. 15, где показано изменение совершенства ориентировки кристаллов в получаемых покрытиях. Цифры по оси ординат дают представления об относительной плотности полюсов кристаллографических плоскостей в материале покрытия, расположенных параллельно плоскости подложки. Участки кривых в области малых толщин, параллельные оси абсцисс, соответствуют толщинам монокристаллического эпитаксиального слоя покрытий. Как видно из приведенных графиков, для всех использованных подложек и типов собственных текстур при их пространственном согласовании толщина монокристаллического эпитаксиального слоя значительно больше, а эпитаксиальные ориентировки при больших толщинах изменяются существенно медленнее. [46]
Термоупругие напряжения в эпитаксиальном слое служат причиной возникновения такого распространенного объемного дефекта структуры, полупроводников, как дислокации. Другой причиной образования дислокаций являются напряжения, возникающие в эпитаксиальном слое в результате различия периодов решеток его и подложки, легированных различными примесями или одинаковыми, но в различных концентрациях. Называемые дислокациями несоответствия они представляют собой 60 -ные дислокации, лежащие в направлениях пересечения плоскостей скольжения 111 с плоскостью роста эпитаксиального слоя. Наличие в эпитаксиальном слое концентраторов напряжений, которыми служат включения второй фазы, также усиливает генерацию дислокаций несоответствия. При увеличении толщины эпитаксиального слоя различные типы дислокаций, взаимодействуя между собой, образуют дислокационные стенки. [47]
В первом случае исток и затвор располагаются на верхней стороне кристалла, а сток - на нижней. Для горизонтальной ячейки характерен планарныи вариант расположения всех основных выводов - сверху кремниевой пластины. В настоящее время все высоковольтные ОМДП-транзисторы изготавливаются только с вертикальной структурой. Для вертикального варианта обратная сторона подложки служит контактом к области стока. На подложке выращивается высокоомный эпитаксиальныйлГ - слой, после чего с помощью операций окисления, маскирования и травления переходят к диффузионным процессам по созданию р-области канала и высоколегированного л - истока. В горизонтальной структуре проводится также диффузия области л - стока. Затем следует заключительная операция металлизации соответствующих выводов. При сравнительно одинаковой технологии изготовления ЭМДП - и УМДП-транзисторов вертикального типа первые, как правило, имеют более высокое пробивное напряжение, а вторые более низкое сопротивление канала в открытом состоянии. Это связано с тем, что инверсионный слой в р-области ОМДП-транзистора расположен в горизонтальной плоскости, тогда как у V-образного транзистора - под некоторым углом, что уменьшает толщину эпитаксиального слоя, определяющего параметры пробивного напряжения и сопротивления открытого ключа. [48]