Толщина - окисный слой
Cтраница 1
 |
Схема поверхностного слоя германия ( поверхность не пассивирована. [1] |
Толщина окисного слоя, измеренная электроннографичес-ким методом, имеет величину 1 - 2 ммк. [2]
 |
Изменение потенциала со временем при коротких импульсах ( 20 мксек ниже id и выше ( d порога активации. [3] |
Толщину окисного слоя, казалось бы, можно найти, определив количество электричества, необходимое для активации. [4]
 |
Индуктивный диод. 1 - модулированная область базы. г - немодулированная область базы. [5] |
При толщине окисного слоя 1 мкм удельная паразитная емкость равна 32 пФ / мма. [6]
 |
Окисление алюминия во влажном кислороде при 25 С 6. ТОЛСТЫЕ ПЛЕНКИ ( ОКАЛИНА. [7] |
При возрастании толщины окисного слоя интенсивность туннельного эффекта убывает как показательная функция. Поэтому следует ожидать, что уже при сравнительно небольших толщинах h более медленным процессом будет транспорт электронов путем туннельного эффекта. [8]
Для определения толщины окисного слоя используют также другие методы, например эллипсометрический и отражения поляризованного луча, но они не нашли широкого применения. [9]
Возможность регулирования толщины окисного слоя путем проведения определенного числа последовательных реакций ( 1) и ( 2) позволяет наблюдать закономерное изменение структурных характеристик исходного силикагеля. [10]
Вопрос о толщине окисного слоя должен решаться с учетом степени шлифования металлической поверхности перед обработкой по способу элоксаль. Систематические испытания наклепанных при прокатке образцов чистого алюминия [41] показали, что при грубом предварительном шлифовании и обычной обработке по этому способу необходима толщина слоя около 15 мк. [11]
 |
Влияние толщины оксидной пленки на пробивное напряжение.| Зависимость пробивного напряжения от толщины окисного слоя. [12] |
По средним значениям толщины окисного слоя, определенного весовым и металлографическим методом, составлена зависимость толщины окисного слоя от про - 300 бивного напряжения. [13]
Например, при четырех-пяти полосах толщина окисного слоя на кремниевых пластинах составляет 1 - - 1 3 мкм. [14]
Этот метод основан на том факте, что толщина окисного слоя, образующегося на поверхности серебра, является функцией плотности тока. Батлер и Блекхем изменяли ток, приложенный к электроду с неизвестной поверхностью до тех пор, пока длина плато потенциала на окисносеребряном электроде не становилась равной длине плато гладкого стандартного электрода, и принимали, что исследуемый и стандартный электрод окислялись при одной и той же плотности тока и, следовательно, покрывались окисными слоями одинаковой толщины. [15]
Страницы: 1 2 3 4