Толщина - окисный слой
Cтраница 4
Для получения более толстых пленок ( 40 - 60 мк) применяют раствор серной, хромовой или щавелевой кислоты. При этом одновременно протекают процессы образования пленки и ее растворения. В начале превалирует первый процесс, но по мере увеличения толщины окисного слоя растет его сопротивление и повышается количество выделяемого тепла. Поэтому ускоряется растворение, процесс же оксидирования замедляется и может произойти даже местное разъедание окисного слоя. Состав окисного слоя зависит от условий его образования. Часть слоя, прилегающего к алюминию, представляет собой у - А12О3, наружная часть его гидратирована и включает адсорбированные компоненты электролита. [46]
Для получения более толстых пленок ( 40 - 60 м / с) применяют раствор серной, хромовой или щавелевой кислоты. При этом одновременно протекают процессы образования пленки и ее растворения. В начале превалирует первый процесс, но по мере увеличения толщины окисного слоя растет его сопротивление и повышается количество выделяемого тепла. Поэтому ускоряется растворение, процесс же оксидирования замедляется и может произойти даже местное разъедание окисного слоя. Состав окисного слоя зависит от условий его образования. Часть слоя, прилегающего к алюминию, представляет собой у - А12О3, наружная часть его гидратирована и включает адсорбированные компоненты электролита. [47]
Сокращение числа операций и снижение линейных размеров кристаллов достигается при изготовлении полевых транзисторов. Дополнительный слой нитрида кремния ( Н) толщиной 10 - 20 мкм при снижении толщины основного окисного слоя в два раза обусловливает уменьшение порогового напряжения. [48]
Помимо перечисленных методов исследование тонких пленок может осуществляться с помощью стандартных аналитических методов: атомно-абсорбционного анализа, нейтронного актива-ционного анализа и искровой спектроскопии. Эти методы, как правило, требуют разрушения образца и дают лишь усредненные характеристики пленки. Кастелем и Веделем [57] разработан метод электрохимического анализа полупроводниковых материалов, который позволяет определять толщину окисного слоя, состав и эквивалентную толщину полупроводниковой пленки. [49]
Исследование кинетики окисления железа, малоуглеродистой стали, титана, алюминия и других металлов, показывает, что в первоначальный момент, пока еще не сформировалась окисная пленка достаточной толщины, окисление протекает по линейному закону, когда скорость реакции не лимитируется диффузией. По мере утолщения пленки скорость диффузии падает, и когда она становится меньше скорости реакции, происходит изменение процесса окисления от линейного к параболическому. Переход от чистой реакции на границе фаз к диффузному торможению наступает при 850 С при толщине окисного слоя на железе - - 1 3 мкм. [50]
Как уже было сказано, трудно отличить хемисорбированный слой кислорода от своеобразного плоского зародыша новой фазы - окисла. Но пока имеется только монослой кислорода, нельзя говорить об окисле как о новой фазе на поверхности металла. Такая фаза будет сформирована лишь в том случае, если взаимное расположение анионов 02 - и катионов металла будет отвечать расположению их в нормальной или несколько искаженной кристаллической решетке окисла. Для этого толщина окисного слоя должна быть не менее одного элемента решетки окисла. [51]
Заштрихованный треугольник IV - единственная область, где все окислы и гидриды титана термодинамически неустойчивы. Однако его электрохимическое и коррозионное поведение будет зависеть от соотношения скоростей всех возмож ных в этой области реакций с участием его гидридов и окислов. Распределение окисла по поверхности и толщина окисного слоя определяются соотношением скоростей реакций 3 и 4, а также, по-видимому, условиями предварительной обработки электрода. [52]
 |
Общий вид алюминиевого электролитического конденсатора с токоотводом, приваренным УЗС. [53] |
Известно, что при изготовлении конденсаторов электроизолирующая пленка наносится на алюминий электрохимическим путем. В результате электрохимических процессов на поверхности алюминия откладывается плотный диэлектрический слой, толщина которого определяет емкость конденсатора. Толщина слоя не зависит от температуры и природы электролита и определяется величиной формовочного напряжения. Однако при формовке фольги вместе с диэлектрическим слоем на ее поверхности в зависимости от температуры и природы электролита образуется пористый слой, который составляет 5 - 10 % от толщины плотного окисного слоя. Наличие этих поверхностных слоев затрудняет применение контактной электрической сварки. Прочность полученных сварных соединений невелика и нестабильна. Необходимость частой зачистки электродов от налипаний свариваемого металла снижает производительность труда и исключает потенциальную возможность автоматизации процесса. [54]
Оксидирование стали осуществляют процессами, носящими название воронения и синения. Изделия, подлежащие воронению, покрывают тонким слоем асфальтового или масляного ла-к А и загружают в печь. После пребывания в печи при температуре 350 - 450 С в течение 12 - 20 мин, поверхность изделий чернеет. Их выгружают в масляную ванну, где они и охлаждаются. Толщина окисного слоя достигает 10 мк и более. Благодаря пропитке пор маслом такое покрытие удовлетворительно служит в условиях атмосферной коррозии. [55]
Оксидирование стали осуществляют процессами, носящими название воронения и синения. Изделия, подлежащие воронению, покрывают тонким слоем асфальтового или масляного лака и загружают в печь. После пребывания в печи при температуре 350 4 - 450 С в течение 12 - 20 мин, поверхность изделий чернеет. Их выгружают в масляную ванну, где они и охлаждаются. Толщина окисного слоя достигает 10 мк и более. Благодаря пропитке пор маслом такое покрытие удовлетворительно служит в условиях атмосферной коррозии. [56]
От указанных выше недостатков свободен конденсатор типа МОП, показанный на рис. 12.48. Диэлектриком в таком конденсаторе является термически выращенная пленка двуокиси кремния. Одним из электродов является сильнолегированная область пластины, лежащая под окислом. Высокоомный п-слой используется в основном для изоляции л-слоя от подложки р-типа. Емкость конденсатора типа МОП зависит в основном от площади и толщины окисной пленки. Так, например, при толщине окисного слоя 0 1 мкм удельная емкость будет составлять примерно 0 4 мкФ / см2 и пробивное напряжение свыше 50 В. [57]
Страницы: 1 2 3 4