Толщина - окисный слой
Cтраница 2
 |
Привес образцов калия и бария в атмосфере воздуха с 70 % - ной относительной влажностью ( по Денчу. [16] |
Строго говоря, линейное уравнение нельзя связывать с толщиной окисного слоя, поскольку оно утрачивает всякий смысл, когда начинается заметное улетучивание продукта окисления. [17]
По средним значениям толщины окисного слоя, определенного весовым и металлографическим методом, составлена зависимость толщины окисного слоя от про - 300 бивного напряжения. [18]
Между тем при анодной поляризации в ряде электролитов, например в серной кислоте, на алюминии толщина плотного окисного слоя может быть значительно больше, чем толщина мономолекулярного слоя. Как видно из рис. 72, емкость двойного слоя алюминия в серной кислоте падает с увеличением потенциала. [19]
 |
Влияние температуры электролита на толщину оксидной пленки. [20] |
Одним из важнейших электроизоляционных свойств оксидной пленки алюминия является пробивное напряжение, поэтому было изучено влияние толщины окисного слоя на величину пробивного напряжения. [21]
Анодирование повышает коррозионную стойкость А1, однако достигаемая при этом дополнительная защита мало эффективна и непропорциональна толщине окисного слоя. [22]
Исследования кинетики окисления циркония, проведенные в последнее время, свидетельствуют о том, что с увеличением температуры окисления растет толщина окисного слоя и увеличивается скорость роста. Микроструктурные исследования показали, что зона окиси циркония двуслойна: внутренняя часть представляет собой моноокись циркония постоянного состава ( что подтверждено рентгеновскими исследованиями), а поверхностная зона - двуокись циркония с переменным содержанием кислорода. [23]
В работе сделан вывод, что электронограммы границы раздела систем Si - SiO2, приготовленных высокотемпературным окислением, обнаруживают существование поликристаллических включений кремния, развитость которых возрастает по мере увеличения толщины окисного слоя. Эта поликристалличность не связана с общим натяжением пленки окисла, поскольку дифракционные кольца становятся наиболее яркими не при максимальных, а при средних толщинах окисла. [24]
 |
Изменение потенциала титана от. [25] |
На рис. 5 видно, что окисный слой формируется непосредственно на гидридном слое, при этом толщина гидридного слоя почти не изменяется. Толщина окисного слоя на титане и титане с гидридным слоем одинакова. [26]
 |
Получение диэлектрической изоляции в полупроводниковых интегральных микросхемах. [27] |
Первый этап изготовления микросхемы - выращивание эпитаксиального слоя толщиной 12 - М 5 мкм и окисление поверхности пластины для создания маски, необходимой для проведения процесса диффузии. Толщина окисного слоя составляет примерно 1 мкм. Окисные слои на последующих операциях получаются одновременно с диффузией, проводимой для создания изолирующих переходов. Для получения окисного слоя во время диффузии ( на определенной стадии процесса) в систему вводят кислород или пары воды. Разделительная диффузия проводится на всю глубину эпитаксиального слоя. При формировании базовых областей транзисторов создаются резистор и диод. [28]
Градиент потенциала уменьшается с удалением от поверхности весьма быстро, может быть поэтому толщина сплошных окисных слоев на пассивных металлах не бывает велика, редко превышая несколько десятков ангстрем. Экспериментально определяемые толщины окисного слоя являются, как правило, средними величинами, а реальные слои на металлах всегда неоднородны, и в наиболее тонких местах, вероятно, их толщина существенно меньше средней; диффузия ионов через слой должна идти преимущественно в наиболее тонких местах, а также по границам зерен металла. [29]
Оксидирование стали осуществляется термическим ( сухим) и химическим ( мокрым) способами. Практически толщина окисного слоя может колебаться от долей микрона до 10 мк и более. Окисные пленки, которые получены термическим способом ( воронением и синением), хотя и обладают меньшей механической - прочностью, однако имеют лучшие защитные свойства по сравнению с более пористыми пленками, полученными химическим способом. [30]
Страницы: 1 2 3 4