Топология - микросхема
Cтраница 1
Топология микросхемы - чертеж, определяющий форму, размеры и взаимное расположение элементов и соединений микросхемы в плоскости, параллельной плоскости подложки. Поскольку элементы и соединения формируются путем последовательного образования отдельных слоев, различают послойную и общую топологию микросхемы. [1]
 |
Температурные изменения коэффициента усиления тока базы Р маломощного интегрального п-р - п транзистора при различных токах коллектора / к ( 1 и сопротивления гашч-резистора Лп ( 2. [2] |
При разработке топологии микросхемы - переводе электрической принципиальной схемы в топологический чертеж элементов-основными критериями являются плотность компоновки элементов с минимальным числом пересечений соединений между ними, а также минимизация тепловых и емкостных связей. При достижении максимальной плотности компоновки интегральных элементов выявляются топологические ограничения, вызванные получением минимальной ширины линии, доступной для вскрытия методом литографии, с учетом диффузии примеси под окисел и автодиффузии скрытого слоя. На рис. 1.12, а показан топологический чертеж п-р - п транзистора, а на рис. 1.12 6-разрез изготовленной структуры интегрального транзистора. [3]
 |
Выполнение технологии микросхемы шаблонами на магнитной матрице. [4] |
Такая методика разработки топологии микросхем с помощью магнитных матриц позволяет сократить сроки проектирования в полтора-два раза, улучшить его качество и уменьшить объем расчетно-графических работ. [5]
Рассмотрим пример разработки топологии микросхемы. Допустим, что необходимо, создать микросхему избирательного двойного Т - образного режекторного фильтра, применяемого в аппаратуре связи. На рис. 4.21 а показана электрическая схема такого фильтра, который необходимо выполнить в пленочном исполнении. При этом выводы микросхемы должны располагаться - с одной стороны подложки. Дополнительно на той же стороне подложки должны быть выполнены два внешних разветвления для измерительных целей. [6]
Исходными данными для разработки топологии микросхемы являются электрическая принципиальная схема с перечнем элементов, техническое задание, технологические ограничения. При разработке чертежа необходимо учитывать методы получения элементов схемы и очередность нанесения слоев. При выполнении топологических чертежей используют условные обозначения типов слоев. Резистивный слой изображают площадками с точечным фоном; проводники, контактные площадки, обкладки конденсаторов заштриховывают тонкими линиями с углом наклона к контуру чертежа 45, различая их между собой направлением и частотой штриховки. [7]
В зависимости от сложности топологии микросхемы могут быть применены два способа. [8]
Однако еще до разработки топологии микросхемы необходимо выбрать ее электрическую схему и выдвинуть требования, предъявляемые внешними воздействиями. Электрическая схема и требования, предъявляемые к микросхеме, определяются в основном разработчиками аппаратуры. При этом необходимо стремиться к тому, чтобы микросхема по возможности выполняла законченную электрическую функцию. [9]
Третий этап проектирования - разработка топологии микросхем, где решается задача размещения эле -, ментов электрической схемы на поверхности подложки в системе координат кристалла. Затем производится трассировка соединений между элементами и с внешними выводами микросхемы. Для сокращения счета расположение некоторых элементов задается разработчиком. Это касается в первую очередь контактных площадок, некоторых проводников и других элементов топологии. [10]
Основными достоинствами использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок являются: сокращение сроков проектирования, снижение стоимости, повышение качества за счет снижения вероятности ошибок проектирования и предварительного моделирования характеристик до их изготовления. [11]
 |
Вакуумная камера для нанесения ТОНКИХ ПЛеНОК ТерМИЧеСКИМ ИС. [12] |
На предварительно очищенные подложки 2 в соответствии с топологией микросхем накладывают трафареты / и помещают их в вакуумную камеру. Вакуумными насосами создают нужное для напыления разреженное давление; начинается разогрев распыляемого материала. Напыление пленки занимает от нескольких секунд до нескольких минут. [13]
 |
Схема изготовления трехслойных биметаллических масок. [14] |
Целесообразность применения свободных масок в значительной мере определяется сложностью топологии микросхемы, геометрическими размерами элементов и экономической эффективностью метода. [15]
Страницы: 1 2 3