Топология - микросхема
Cтраница 2
После расчета интегральной схемы перед ее изготовлением разрабатываются размещение и коммутация элементов микросхемы ( топология микросхемы), выполняется чертеж взаимного расположения и формы элементов и соединений микросхемы ( топологический чертеж), выполняются с высокой точностью в увеличенном масштабе специальные чертежи каждого слоя структуры микросхемы ( оригиналы микросхемы), по которым изготавливаются фотошаблоны - негативные или позитивные изображения оригинала на прозрачном материале в масштабе микросхемы. [16]
 |
Основные технологические этапы получения полупроводниковых микросхем. [17] |
Далее этот слой используют для получения в нем рисунка фотошаблона 5 в соответствии с топологией микросхемы. [18]
 |
Электрическая ( о и символическая Г схемы триггера.| Начальное действительное размещение элементов триггера. [19] |
Чтобы устранить этот недостаток, необходимо использовать процедуру уплотнения элементов, при которой может изменяться топология микросхемы без изменения связей, указанных в исходной символической схеме. В частности, свободные площади можно удалить с тех участков коммутационного поля, которые окружены контурами сжатия. Пример контура сжатия на коммутационном поле изображен на рис. 5.28 в виде заштрихованных областей. При соблюдении ряда ограничений контуры сжатия могут прокладываться по линиям грубой монтажной сетки с достаточной степенью свободы. [20]
Прежде чем перейти к вопросу оптимизации топологии рези-сторной части микросхем, целесообразно выбрать критерии воспроизводимости резисторов и оптимальности топологии микросхемы. [21]
Конденсаторы с диэлектриком из SiO2 и на основе р-п перехода имеют паразитную емкость по отношению к полупроводниковой пластине, которую следует учитывать при расчете топологии микросхем. [22]
Подгонка может быть дискретной, когда топология резистора или конденсатора предусматривает специальные перемычки, которые при подгонке перерезаются или подпаиваются, и плавной, при которой практически не изменяется топология микросхемы. Дискретная подгонка обеспечивает точность ( 2 - 5) % на резисторы и 5 % на конденсаторы. [23]
 |
Структурная схема системы Кулон. [24] |
Таким образом, возможность копировать, растягивать, сжимать, вращать, перемещать и возвращать на место любые компоненты топологии фрагментов БИС, а также автоматическая проверка минимально допустимых расстояний между компонентами в пределах слоя или между слоями, охватов одних фигур другими, ширины фигур заданного типа или внутренних размеров этих фигур делает подсистему интерактивного проектирования мощным и эффективным средством синтеза топологии микросхем. [25]
 |
Пленочные катушки индуктивности. а - прямоугольная спираль. б - круглая спираль. / - токопроводящая пленка. [26] |
В процессе разработки топологической структуры ИС решают следующие задачи: определение геометрических размеров элементов, получаемых методом пленочной технологии; разработка схемы взаимного расположения и соединения элементов на подложке; определение метода изготовления пленочных элементов и способов подсоединения выводов пленочных и навесных элементов к контактным площадкам и внешним выводам; выбор окончательной формы и размещения пленочных элементов; оформление чертежей; оценка качества топологии микросхемы и внесение корректировки. [27]
Таким образом, для уменьшения паразитной связи через подложку необходимо: совершенствовать технологию получения материала для полуизолирующих подложек с целью более точной компенсации примесей и уменьшения концентрации дефектов, приводящих к образованию отрицательных ионов в области 4 ( см. рис. 5.6); уменьшать амплитуду изменения напряжения на электродах элементов микросхемы, например, за счет снижения напряжения питания; использовать элементы, менее чувствительные к влиянию бокового затвора; выбирать достаточно большие расстояния между критическими электродами соседних элементов при проектировании топологии микросхемы. [28]
Рассмотренные элементы полупроводниковых интегральных схем обладают паразитными компонентами, ограниченным диапазоном возможных номинальных значений и весьма малыми рассеиваемыми мощностями. При разработке топологии микросхемы необходимо стремиться к исключению паразитных связей между ее элементами и к обеспечению требуемого теплоотвода. Поскольку стоимость изготовления резистора и конденсатора в интегральной схеме больше стоимости изготовления транзистора, то, проектируя интегральную схему, нет смысла стремиться к сокращению числа активных элементов, а целесообразно ( при возможности) пассивные элементы заменить транзисторами. [29]
Пленочный конденсатор большой емкости может иметь сложную конфигурацию. Это позволяет конструктору при разработке топологии микросхемы полностью использовать свободные участки площади подложки. [30]
Страницы: 1 2 3