Cтраница 1
Точка Кюри кристаллов KNb03 находится вблизи 435 С. Октаэдры связаны друг с другом вершинами и образуют каркас, большие кубооктаэдрические пустоты которого заняты атомами К. [1]
![]() |
В полупроводнике, питаемом от генератора напряжения, образование домеиа сопровождается падением среднего поля в кристалле. [2] |
Флуктуация поля формируется в точках кристалла, где в силу особенностей выращивания удельное сопротивление имеет наиболее высокое значение. [3]
![]() |
Размытие изображения точек объекта, определяемое геометрией съемки в РДМ. [4] |
В радиальном направлении от каждой точки кристалла отражаются только лучи, удовлетворяющие условию Вульфа-Брэгга. [5]
Задание вектора и как функции точек кристалла - и ( г) - полностью определяет состояние деформированного тела. [6]
Введем представление о том, что каждая точка кристалла г смещается при колебаниях атомов в соответствии с формулой ( HI. Другими словами, смещение любой точки пространства между атомами рассматривается как интерполированное между значениями смещений окружающих атомов. [7]
Напряженность этого поля меняется от точки к точке кристалла таким образом, что уровням минимальной потенциальной энергии соответствуют узлы кристаллической решет-ки а. [9]
Она зависит от того, в какой точке кристалла расположен данный блок. [10]
Волновые функции для таких состояний падают до нуля в точках кристалла, удаленных от группы Q, и соответствующие энергии лежат вне нормальных зон ( включая любые поверхностные зоны) кристаллических состояний. Следовательно, основные черты одномерной задачи сохраняются. [11]
Рассмотрим все те элементы евклидовой группы, которые переводят каждую точку кристалла в эквивалентную ей и каждое направление в кристалле в эквивалентное ему. Совокупность всех этих элементов образует группу, называемую группой кристалла. Всего существует 230 различных кристаллических групп. Эти группы называют также пространственными группами. Они были открыты Е. С. Федоровым ( 1895 г.) и несколько позже Шенфлисом. [12]
В стационарном состоянии полный ток / 0, так как в каждой точке кристалла ток проводимости компенсируется током диффузии. [13]
Здесь / о и / - интенсивности падающего и дифракционного пучков в точке кристалла с координатами xt, x2, измеренными вдоль направлений падающего и дифракционного пучков [17]; а - сечение рассеяния на единицу объема. [14]
В первом случае точечная симметрия кристалла с дефектом определяется локальной точечной симметрией той точки кристалла, в которой появился дефект атомного типа. К операциям локальной симметрии точки г в молекуле или кристалле ( в этой точке, в частности, может располагаться и ядро одного из атомов) относят все те операции точечной группы симметрии системы, которые оставляют эту точку неподвижной. [15]