Cтраница 2
БТ характеризуют топологически устойчивые типы распределения намагниченности в окрестности соответствующих плоскостей, линий и точек кристалла. Переход от этих неоднородных распределении к однородному требует затраты энергии, пропорциональной соответственно объему, поверхности или линейному размеру тела. Они либо рассекают образец по нек-рой поверхности, либо образуют цилпнд-рич. Цилиндрические магнитные домены), либо образуют замкнутую поверхность внутри тела. [16]
Величина UMe определяется энергией связи иона в металле, а значит, и тем, в какой точке кристалла ( ребро, грань, угол) разряж: ается ион. Следовательно, особенностью процессов электрокристаллизации как раз и является то, что кристаллизационные факторы определяют скорость ( или энергию активации) самого акта разряда. [17]
Преобразования, входящие в состав группы симметрии кристалла, могут быть такими, чтобы по крайней мере одна точка кристалла оставалась неподвижной при применении любого из этих преобразований. Группы симметрии, обладающие указанными свойствами, называют точечными группами. [18]
Величина 1 / Ме определяется энергией связи иона в металле, а значит, и тем, в какой точке кристалла ( ребро, грань, угол) разряжается ион. Следовательно, особенностью процессов электрокристаллизации как раз и является то, что кристаллизационные факторы определяют скорость ( или энергию активации) самого акта разряда. [19]
ТОЧЕЧНЫЕ ГРУППЫ СИММЕТРИИ кристаллов ( класс кристаллов) - совокупность операций симметрии, совмещающих кристалл с самим собой, при к-рых, по крайней мере, одна точка кристалла остается неподвижной. [20]
Обозначая потенциал соответствующего поля через у ( х, у, z), мы должны для получения энергии нахождения нарушителей порядка в соответствующей ( внутренней) точке кристалла из U A и U B вычесть произведение еср. [21]
Точка кристалла, на которой получались колебания, совершенно другая, чем та, на которой происходило наилучшее детектирование без приложенного извне постоянного напряжения. С одним детектором можно также получить колебания одновременно двух различных периодов, а также прерывистые. Легкость получения колебаний с детектором повышается при увеличении емкости в колебательном контуре, но зато устойчивость их частоты понижается; изменения самоиндукции действуют наоборот. [22]
Наличие пересечения может быть объяснено именно наложением двух эффектов. Точка кристалла, дававшая кривую рис. 4, была также испытана на выпрямление высокой часоты ( без наложения постоянной смещающей разности потенциалов): при слабом напряжении ( высокой частоты) выпрямление происходило в одну сторону, а с увеличением напряжения меняло направление. [23]
Необходимость иметь малую площадь контакта вытекает из предыдущего. Не все точки кристалла могут действовать одинаковым образом уже потому, что обычно детекторные кристаллы представляют собой агрегат, составленный из мельчайших различно ориентированных кристалликов. [24]
В отличие от большинства радиотехнических систем оптические по существу всегда являются системами бегущей волны. Генерация гармоники осуществляется каждой точкой кристалла, которую проходит волна со. Чтобы волна 2со, генерируемая различными точками кристалла, складывалась по мере распространения волны со, должно выполняться условие синхронизма: фазовые скорости волн должны совпадать. Так как скорость иа с / пш, 2 с / п2а, условие синхронизма означает равенство показателей преломления nw, п20 на основной частоте и гармонике. Это направление распространения называют направлением синхронизма. [25]
Зародыши новой фазы продукта возникают тогда, когда локальные флуктуации энергии в кристалле исходного продукта достаточно велики, чтобы в определенных точках кристалла была превышена так называемая энергия активации образования зародыша. Зародыши возникают в тех точках кристалла, в которых энергия активации их образования наименьшая. Число зародышей, возникающих в определенный промежуток времени, зависит от числа активных точек, способных к образованию зародыша, и от средней энергии активации его образования. Точки, в которых может появиться зародыш, связаны обычно с такими структурными неоднородностями, как микро - и макродефекты. [26]
Второе отличие ( что имеется лишь одна точка зарождения слоев, тогда как их должно быть очень много) очень интересное и трудно разрешимое. Кажется очевидным, что одна точка кристалла отличается от другой лишь постольку, поскольку дело касается дефектной структуры. Возможно, следовательно, что ступени могут возникать лишь в некоторых точках кристаллической грани, где имеется высокая концентрация дислокаций, как это будет обсуждаться в следующем разделе. [27]
Напомним еще раЗ; с чем связаны основные различия в зависимостях амплитуды модуляции света от положения заряда в кристалле при продольном и поперечном электрооптических эффектах. Из (7.66) следует, что в точках кристалла, симметричных относительно плоскости заряда ( в нашем случае в точках ( х, г) и ( х, - z)), продольные и поперечные компоненты поля равны по модулю. Продольные комитеты в этих точках имеют противоположные знаки, а поперечные - одинаковые. В силу этого при интегрировании (7.56) набег фаз, которые получает световая волна при распространении; в кристалле за счет продольного электрооптического эффекта слева от плоскости заряда, полностью компенсируется набегом фаз, которые свет приобретает справа от этой плоскости. В результате для продольного эффекта ф1 ] 2 0, когда заряд находится в центре кристалла. В силу того что поперечные компоненты имеют одинаковые знаки слева и справа от плоскости заряда, при поперечном электрооптическом эффекте такой компенсации нет. [28]
Чтобы сделать возможным такой перенос, гидратированная оболочка из молекул должна хотя бы частично сместиться. Энергия активации такого смещения может быть значительной и к тому же может изменяться в зависимости от точки кристалла, в которой происходит смещение ( фиг. [29]
Рассмотрим теперь общие свойства волновых функций, описывающих движение электрона в трехмерном кристалле как идеально периодической структуре. Пусть решено уравнение Шредингера и найдена волновая функция ( х, у, 2) для некоторой точки кристалла. Постоянные решетки в трех направлениях обозначим через а, а и а3 - Очевидно, точки, координаты которых отличаются на целое число постоянных решетки, будут идентичными в кристалле. [30]