Cтраница 3
Это направление называется оптической осью кристалла. Следует иметь в виду, что оптическая ось - это не прямая линия, проходящая через какую-то точку кристалла, а определенное направление в кристалле. Любая прямая, параллельная данному направлению, является оптической осью кристалла. [31]
У одноосных кристаллов имеется направление, вдоль которого обыкновенный и необыкновенный лучи распространяются не разделяясь и с одинаковой скоростью2 Это направление называется оптической осью кристалла. Следует иметь в виду, что оптическая ось - - это не прямая линия, проходящая через какую-то точку кристалла, а определенное направление в кристалле. Любая прямая, параллельная данному направлению, является оптической осью кристалла. [32]
На рис. 5.15 показано, как можно двумя способами распилить куб пополам так, что обе половинки составят зеркальное отображение друг друга. В кубе имеется и центр симметрии ( С) - это точка внутри кристалла, которая делит пополам отрезки, соединяющие тождественные точки кристалла. [33]
Эта матрица имеет те же собственные значения, что и исходная матрица. Тем не менее ее можно изобразить графически, как пока зано на рис. 3.4. Каждая строка и каждый столбец соответствуют связывающей или антисвязывающей орбитали в одной из точек кристалла. [34]
Как мы видели выше, все эти кривые изображают для смесей жидкого А с различными двойными смесями D. Среди тройных жидких смесей данного плоского сечения поверхности имеется насыщенный раствор по отношению к кристаллам А; он определяется, как на рис. 38, точкой касания h касательной, проведенной из точки кристаллов g к кривой соответствующего плоского сечения. [35]
Однако, каким бы привлекательным ни казалось с самого начала приписать каждому атому определенный заряд, следует иметь в виду, что, даже если мы знаем точное распределение заряда во всех точках кристалла, нет однозначного способа разбить это распределение на отдельные части и приписать их различным атомам. [36]
В кристаллическом образце существует ряд точек, которые отличаются от других тем, что либо они были местами строго локализованного разложения, имевшего место при более низкой температуре до начала собственно разложения, либо такое разложение происходило на них во время быстрого нагревания до установленной температуры разложения. Эти точки, называемые зародышами ядер, расположены в областях с разупорядоченным строением, например в местах выхода дислокаций на поверхность, на вакансиях, на скоплениях ионов в междоузлиях или скоплениях примесей или же в местах примыкания острых углов граней частиц. Молекулы исходного вещества в таких точках кристалла менее полно координированы, чем на нормальной поверхности, и разлагаются более легко, поскольку в них должно подвергаться разрыву меньшее число связей. [37]
Принято считать, что топохими-ческая реакция начинается на отдельных точках-зародышах реакционных ядер, образующихся на поверхности кристаллов. Потенциально возможные места для образования зародышей связаны с определенными типами искажений кристаллической решетки и, в частности, с дефектами решетки. Молекулы исходного вещества в таких точках кристалла менее полно координированы, чем на нормальной поверхности, и разлагаются более легко, поскольку в них должно подвергаться разрыву меньшее число связей. [38]
Направление нейтральных линий зависит от ориентации пластинки относительно главных осей кристалла. При нормальном падении нейтральными линиями являются оси эллипса, представляющего собой центральное сечение эллипсоида показателей преломления плоскостью пластинки ( гл. Следовательно, для того чтобы поле световой волны в каждой точке кристалла имело простое выражение, необходимо, чтобы его направление в падающем свете совпа-дало с одной из нейтральных линий. Это условие весьма существенно для правильной интерпретации теоретических соотношений и позволяет извлечь максимум информации из экспериментальных данных. [39]
Взятые в целом полученные результаты убедительно доказывают правильность механизма Герни и Мотта, согласно которому образование скрытого изображения в крупных монокристаллах галоидного серебра протекает в две стадии. В первой, электронной, стадии электроны и положительные дырки освобождаются в результате поглощения фотонов бромидом серебра. Далее они свободно мигрируют по кристаллу до рекомбинации или захвата в пространственно разделенных точках кристалла. Захватом дырок и электронов оканчивается электронная стадия процесса. Она приводит к созданию пространственных зарядов, которые во второй, ионной, стадии процесса нейтрализуются движением ионов серебра от мест захвата дырок к местам захвата электронов. [40]
Проводимость окислов л-типа обусловлена свободными электронами, ассоциированными с анионными вакансиями в кристаллической решетке, или свободными электронами, уравновешивающими катионы, находящиеся в междоузлиях. В полупроводниковых окислах р-типа проводимость осуществляется путем изменений зарядов катионов, последовательно расположенных в решетке, что эквивалентно движению положительных дырок по решетке. Изменения зарядов могут начинаться с катионной вакансии, например если в некоторой точке кристалла Си2О отсутствует ион Си, то в соседнем узле решетки должен быть ион Си2; другой более редкой возможностью является уравновешивание междоузельного аниона более высоким зарядом какого-либо катиона решетки. [41]
Экситон можно рассматривать как возбужденный электрон, который все время остается вблизи дырки. При определенных условиях, например при столкновении экситона с примесным атомом, возможна рекомбинация экситона ( рекомбинация электрона и дырки) и, как следствие, освобождение энергии возбуждения. Таким образом, экситоны являются своеобразными аккумуляторами энергии, способными переносить энергию от одних точек кристалла к другим. Именно это свойство и предопределяет важность участия экситонов в различных процессах. [42]
Еще одно типичное отличие органических полупроводников от неорганических заключается в том, что число носителей зарядов в органических веществах часто значительно меньше их числа в германии. Если принять, что эта небольшая концентрация носителей зарядов одинакова по всему кристаллу ( что маловероятно), то глубина пространственно-заряженного слоя, вычисленная по формуле, используемой для германия, была бы значительно больше толщины любого реального кристалла; следовательно, пространственно-заряженная область должна привести почти к выравниванию энергетических уровней вблизи поверхности. Но в таком случае было бы более правильно считать, что энергетические уровни от одной точки кристалла к другой меняются; на большую часть кристалла заряд не оказывает влияния. [43]
Известно, что при температурах ТТ парамагнитное состояние кристалла характеризуется соотношением Ноб 60, предполагающим отсутствие магнитного упорядочения. Это означает, что среднее значение 4j 90 и обменное взаимодействие отсутствуют. При понижении температуры дезориентирующее воздействие флуктуации кристаллической решетки уменьшается, в результате чего в некоторых точках кристалла возникает ближний магнитный порядок. По нашему мнению, эти области, существующие выше Т в виде динамической равновесных роев, должны представлять зародыши будущих доменных границ. [44]
ВЙГНЕРА - ЗЕЙТЦА ЯЧЕЙКА - наиболее часто используемая элементарная ячейка ( примитивная) кристалла. Многогранник, содержащий выбранный уяол и ограниченный атими плоскостями. Все точки внутри многогранника лежат ближе к центру ячейки, чем к любой др. трансляционно эквивалентной центру точке кристалла. ОЦК) и грапецентрированного ( ГЦ К) кристаллов приведены на рис. В. [45]