Травление - пленка
Cтраница 2
О технологическом процессе и отдельных трудностях, которые встречаются при травлениях пленок нихрома, редко сообщают в печати, потому что эти материалы запатентованы. Нихром взаимодействует со сравнительно сильными реактивами. Чаще всего в этом случае предпочитают применять методы обратной фотолитографии [107] ( см. разд. [16]
 |
Спектральный коэффициент излучения монокристалла кремния толщиной 0 35 мм. Температура ( К. 600 ( 1, 700 ( 2, 800 ( 3. [17] |
По этой причине литературные данные о влиянии температуры на поверхностные процессы при осаждении или травлении пленок так малочисленны. [18]
Пленки нитрида кремния, осажденные в плазмоактивирован-ных процессах, в основном используются как диффузионные барьеры, стопорные слои при химико-механической планаризации и травлении пленок оксида кремния и в качестве слоев финишной пассивации кристаллов ИМС. [19]
На рис. 5.14 приведена последовательность операций при создании тонкопленочных резисторов: а - нанесение пленки нитрида тантала; б - нанесение маски из фоторезиста; в - травление пленки нитрида тантала; г - удаление фоторезиста; д - нанесение маски из фоторезиста и вскрытие областей анодирования; е - анодирование нитрида тантала; ж - удаление фоторезиста; з - напыление слоя хрома и золота; и - нанесение маски из фоторезиста; к - вскрытие областей контактов; л - осаждение золота на области контактов; м - удаление фото -, резиста и травление слоя хрома и золота. [20]
Основные требования, которым должен удовлетворять травитель: а) энергичное растворение окислов при минимальном воздействии на основной, неокисленный сплав и б) образование на поверхности деталей после их травления новой пленки с умеренным электрическим сопротивлением, достаточно стойкой против воздействия кислорода; сопротивление этой пленки при хранении деталей перед сваркой не должно быстро увеличиваться. Детали после такого травления могут храниться перед сваркой на машинах переменного тока до 3 суток, а при сварке запасенной энергией - до 24 час. [21]
Фотолитография включает след, стадии: нанесение слоя фоторезиста на пленку 81О2, покрывающую кремниевую пластину; экспонирование слоя фоторезиста через фотошаблон-стеклянную пластину с множеством одинаковых рисунков областей прибора; проявление слоя фоторезиста; получение оксидной маски травлением пленки 8Ю2 через окна в проявленном фоторезисте; удаление фоторезиста. Используют фотолитографию контактную ( фотошаблон контактирует со слоем фоторезиста) и проекционную, осуществляемую либо однократным проецированием фотошаблона с множеством структур на всю пов-сть пластины, либо пошаговым экспонированием, при к-ром на пластину с определенным сдвигом ( шагом) многократно проецируют фотошаблон с изображением одной структуры. Кроме фотолитографии используют также рентгеновскую и электронную литографию. [22]
При травлении толстых пленок, полученных гальваническим осаждением, требуется усиление фоторезнстнвной маски, чтобы исключить проколы из-за развитой поверхности осадков. Кроме того, травление пленок может быть неравномерным из-за пористой и крупнозернистой структуры осадков. Поэтому схемы, к выходным параметрам которых предъявляются повышенные требования, целесообразно изготавливать по данному маршруту, используя толстые пленки, полученные термическим испарением в вакууме. В этом случае пленки отличаются высокой плотностью и однородностью, их удельное сопротивление с точностью до погрешности измерения равно удельному сопротивлению массивного образца меди. Поэтому потери в СВЧ диапазоне будут минимальными, а травление слоев равномерным. [23]
Под действием травителей на поверхности определенных фаз образуются окрашенные пленки. В зависимости от условий травления пленки могут быть различных составов, разной толщины и оттенков. [24]
Было установлено, что на качество пленок нитрида кремния, кроме давления распыляющего газа, существенно влияет и скорость нанесения пленок. На этом рисунке низкая скорость травления пленок означает их большую плотнвсть и, следовательно, высокое качество. [25]
Исследования показали, что хромированные фотошаблоны, полученные травлением в растворе А1С13, имеют высокое качество, что объясняется снижением скорости реакции растворения хрома ( почти в 6 раз) и возможностью контролировать процесс травления. Наличие окислов хрома обусловливает увеличение длительности травления пленок. Это необходимо учитывать при выборе режима формирования двухслойных пленок. Вынос на воздух, прогрев в вакууме до температуры осаждения второго слоя приводят к частичному окислению первого слоя. Поэтому двухслойные пленки всегда травятся послойно. Общее время травления двухслойных пленок 1 - 2 мин. [26]
Описанные процессы представляют несомненный интерес для ряда технологических вариантов, так как позволяют реализовать процесс, где отсутствуют операции мокрого проявления и травления. Однако они имеют весьма серьезные ограничения при травлении пленок с толщиной более 1 мкм. Кроме того, вероятно, за счет диффузионных процессов образующихся продуктов фотолиза данный процесс будет иметь ограничения по разрешающей способности. [27]
В тонкопленочных лазерах ( прежде всего полупроводниковых) РОС реализуется обычно с помощью гофрировки ограничивающей боковой поверхности оптич. Для гофрировки может быть использовано, и частности, травление пленки через защитную маску, созданную из тонкой пленки фоторезиста с помощью засветки интерферирующими световыми пучками. [28]
Следует отметить ряд особенностей применения метода голографической интерферометрии для определения остаточных напряжений, связанных с требованиями голографи-ческого эксперимента. Прежде всего необходимо создать специальные приспособления для держателей образцов и для травления пленок, исключающие жесткое смещение объекта во время экспозиции и одновременно позволяющие с требуемой точностью убирать и возвращать образцы в исходное положение в оптической схеме. Обычно прямоугольные пластинки приклеивают эпоксидным клеем к металлическим держателям, которые во время полимеризации клея задают необходимое поджатие подложки. Просушенные образцы жестко крепятся в кинематическом устройстве. Такое устройство состоит из двух дисков. Верхний диск имеет запресованные в основание три стальных шара, а нижний - три призматических прорези. Каждый шар касается прорезей в двух точках. Таким образом, верхний диск можно снимать и устанавливать обратно с точностью не менее, чем А. Это дает возможность исключить появление во время перестановок интерференционных полос, характеризующих смещение объекта, а также проводить какую-либо операцию, в частности, травление пленки вне голо-графической установки. [29]
Возникают и другие затруднения из-за того, что для создания рисунков схем обычно требуется проводить не одну, а несколько операций травления и, следовательно, необходимо применять комплект шаблонов. При создании нескольких рисунков на одной подложке особенно важно, чтобы рисунки, получаемые травлением пленок, точно соответствовали фиксированному положению друг относительно друга. Это может быть достигнуто только в том случае, если при изготовлении фотошаблонов и контактном печатании весь комплект фотошаблонов был изготовлен с одним и тем жа коэффициентом уменьшения и высоким совершенством совмещения последующих рисунков друг относительно друга на всех операциях. Процесс выравнивания положения рисунков относительно друг друга и мера точности, с которой выполняется эта операция, называется совмещением. Специальные знаки для совмещения в виде точек или штрихов обычно размещаются в нескольких участках матрицы рисунков для того, чтобы облегчить точное регулирование положения фотошаблона и рисунка относительно друг друга по всей площади подложки при переходе от одного слоя к следующему. [30]
Страницы: 1 2 3 4