Cтраница 4
Окисляя затем пластинку при высокой температуре, на поверхности эпитаксиального слоя формируют изолирующую пленку двуокиси кремния. Далее в пластинке формируют участки проводимости разных типов. Для этого сначала в пленке двуокиси кремния с помощью фотолитографии образуют окна. Суть фотолитографии заключается в проектировании на кремниевую пластинку, предварительно покрытую светочувствительным полимером - фоторезистом, требуемого рисунка. После проявления этого рисунка в слое фоторезиста образуются окна, через которые и производится травление пленки двуокиси кремния. Отверстия в этой пленке используются для проведения диффузии в эпитаксиальный слой примесей р - или п-типа. [46]
Следует отметить ряд особенностей применения метода голографической интерферометрии для определения остаточных напряжений, связанных с требованиями голографи-ческого эксперимента. Прежде всего необходимо создать специальные приспособления для держателей образцов и для травления пленок, исключающие жесткое смещение объекта во время экспозиции и одновременно позволяющие с требуемой точностью убирать и возвращать образцы в исходное положение в оптической схеме. Обычно прямоугольные пластинки приклеивают эпоксидным клеем к металлическим держателям, которые во время полимеризации клея задают необходимое поджатие подложки. Просушенные образцы жестко крепятся в кинематическом устройстве. Такое устройство состоит из двух дисков. Верхний диск имеет запресованные в основание три стальных шара, а нижний - три призматических прорези. Каждый шар касается прорезей в двух точках. Таким образом, верхний диск можно снимать и устанавливать обратно с точностью не менее, чем А. Это дает возможность исключить появление во время перестановок интерференционных полос, характеризующих смещение объекта, а также проводить какую-либо операцию, в частности, травление пленки вне голо-графической установки. [47]