Транзистор - малая мощность
Cтраница 1
 |
Конфигурация электродов СВЧ-транзи. [1] |
Транзисторы малой мощности имеют очень малые размеры. Например, на кремниевой пластинке диаметром 40 мм формируется 8000 транзисторов размером 0 4 х 0 4 мм. Подобные транзисторы делаются обычно бескорпусными, и их часто применяют в микросхемах. [2]
 |
Конструкции радиаторов. [3] |
Транзисторы малой мощности ( до 150 - 300 мет) рассчитываются для работы без специальных теплоотводящих устройств. [4]
Транзисторы малой мощности имеют допустимую мощность рассеяния в коллекторном переходе до 300 мет. Отвод тепла от коллекторного перехода к корпусу у этих транзисторов осуществляется вдоль тонкой германиевой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. Внешний вид их показан на рис. И. [5]
 |
Плоскостные германиевые диоды. [6] |
Корпуса транзисторов малой мощности крепят на монтажной плате обычно специальным клеем. [7]
В транзисторах малой мощности все выводы расположены по диаметру донышка и в большинстве случаев средний вывод является базовым, а эмиттерный расположен ближе к базовому, чем коллекторный. Иногда эти выводы делают на одинаковых расстояниях. [8]
 |
Устройство низкочастотного сплавного транзистора. [9] |
Высокочастотные - транзисторы малой мощности. Как следует из анализа работы транзистора с высокочастотными сигналами ( § 12 - 7), предельная частота завысит от ряда физических параметров прибора. Для увеличения этой частоты и, следовательно, расширения частотного диапазона в сторону высоких частот необходимо уменьшать емкости переходов, а значит и площади переходов, снижать объемные сопротивления областей эмиттера, базы и коллектора, уменьшать толщину базы или принимать другие меры для ускорения движения носителей в базе. [10]
По мощности транзисторы подразделяются на три группы: транзисторы малой мощности - до 0 3 вт, транзисторы средней мощности - от 0 3 до 1 5 вт и транзисторы большой мощности - свыше 1 5 вт. Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделяемая на коллекторе транзистора. [11]
Испытания транзисторов на стабильность характеристик показали, что у транзисторов малой мощности, работающих в режиме, близком к допустимому, в течение первых 50 ч работы наблюдается смещение вольт-амперной характеристики транзистора, включенного по схеме со свободной базой, примерно на 10 % в сторону увеличения тока. У транзисторов большой мощности смещение характеристик наблюдается до 150 ч непрерывной работы в режиме, близком к предельно допустимому, а величина приращения тока достигает 40 % i от первоначального значения. [12]
Усилитель для портативного радиоприемника класса III или IV выполняется полностью ня транзисторах малой мощности. Исполь 8ование в оконечном каскаде транзисторов различной структуры ( один р-п - р, другой п-р - п, рис. 64) исключает необходимость применения в усилителе фазоинвертирующего каскада. [13]
Подстановка в формулу для Ul &0 практических величин кбо, RT Для транзисторов больших и малых мощностей на основе кремния и германия показывает, что напряжения теплового пробоя превышают 250 - 300 в для маломощных транзисторов и снижаются при определенных условиях до 30 - 60 в для мощных транзисторов. Таким образом, можно говорить о значении теплового пробоя только для мощных транзисторов, для маломощных же определяющим является электрический пробой. [14]
По мощности рассеяния Ррасс ( допустимое значение мощности потерь, рассеиваемой транзистором без применения дополнительного геплоотвода) различаются транзисторы малой мощности ( ЯраСс 0.3 Вт), средней мощности ( 0 3 Вт Ррасс 1 5 Вт) и большой мощности ( Ррасо 1.5 Вт), По диапазону частот различают низкочастотные ( предельно допустимая частота / 3 МГц); среднечастотные ( 3 МГц / 30 МГц), высокочастотные ( 30 МГц / 300 МГц) и сверхвысокочастотные ( / 300 МГц) транзисторы. [15]
Страницы: 1 2 3