Транзистор - малая мощность
Cтраница 2
Номинальная мощность резистора и класс его точности не имеют существенного значения в цепях управляющих сеток электронных ламп и коллекторов транзисторов малой мощности. Так же обстоит дело с резисторами, использующимися в схеме диод иого AM детектора, сеточного детектора, в цепи управляющей сетки электронно-светового индикатора в цепях АРУ. [16]
Корпусы типа 3 - круглые металлостеклянные диаметром 7 5 - 9 5 и высотой 3 0 - 7 5 мм ( п6 типу корпусов транзисторов малой мощности); 12 или 8 выводов круглого сечения ( проволока диаметром 0 3 - 0 5 мм) выходят из стеклянной ножки корпуса перпендикулярно к ее плоскости. [17]
Тип транзистора обозначают следующим образом: первая буква ( цифра) указывает на материал ( Г или 1 - германий, К или 2 - кремний, А или 3 - арсенид галлия); на втором месте ставят букву Т ( транзистор); на третьем месте стоит трехзначное число, указывающее мощность рассеяния и частоту ( транзисторы малой мощности низкочастотные-от 101 до 199, среднечастотные - от 201 до 299, высокочастотные - от 301 до 399; транзисторы средней мощности низкочастотные - от 401 до 499; среднечастотные - от 501 до 599, высокочастотные - от 601 до 699; транзисторы большой мощности низкочастотные - от 701 до 799; среднечастотные - от 801 до 899; высокочастотные - от 901 до 999); на четвертом месте ставят букву, указывающую на разновидность конструкции транзистора данной группы. [18]
Полупроводниковые приборы маркируют в соответствии с ГОСТ 10862 - 72, предусматривающим составление марки из четырех элементов: первый элемент - буква или цифра, обозначающая исходный материал ( Г или 1 - германий, К или 2 - кремний, А или 3 - соединения галлия); второй элемент - буква, указывающая подкласс прибора ( Д - диод, Т - транзистор, Ф - фотоприбор, С - стабилитрон, В - варикап, И - туннельный диод, Н - неуправляемый многослойный переключающий прибор, У - управляемый многослойный переключающий прибор, А-сверхвысокочастотный диод, Ц - выпрямительный столб или блок); третий элемент - число, уточняющее принадлежность прибора к определенной группе внутри подкласса, - диоды выпрямительные: 1 - малой мощности на токи до 0 3 А, 2 - средней мощности на токи 0 3 - 10 А, универсальные 4, импульсные 5 - с временем восстановления более 150 не, 6 - от 30 до 150 не, 7 - от 5 до 30 не, 8 - от 1 до 5 не и 9 - менее 1 не, транзисторы малой мощности ( с мощностью рассеяния до 0 3 Вт): 1 - низкочастотные с граничной частотой не более 3 МГц; 2 - среднечастотные с. [19]
По мощности транзисторы принято подразделять на три группы. К транзисторам малой мощности относятся приборы с рассеиваемой мощностью в коллекторе Рк 0 3 Вт. [20]
Обычно для транзисторов малой мощности величина сопротивления в цепи базы не должна превышать нескольких килоом, а для мощных - несколько ом. [21]
 |
Зависимость коэффициента усиления Р от тока / э германиевого сплавного транзистора средней мощности. [22] |
На рис. 2.30 приведена типичная зависимость РОТ /, для германиевого сплавного транзистора средней мощности, из которой следует, что р начинает снижаться при токах около 15 ма. Для таких же транзисторов малой мощности уменьшение Р наступает при / 0 5 - 0 8 ма. [23]
Если действует тепловой пробой ( в большинстве случаев для мощных транзисторов на основе германия), то характеристики, снятые по точкам на постоянном токе, будут снижать напряжение загиба по мере роста тока / к. Если действует электрический пробой ( в большинстве случаев для кремниевых транзисторов любой мощности и для транзисторов малой мощности любого материала), то при любом способе снятия характеристик напряжение загиба будет одним и тем же для всего семейства характеристик. [24]
Дает возможность выбрать наиболее целесообразное расположение элементов с относительно небольшой затратой времени и труда. Для детали простой, симметричной формы ( варикапа, кремниевого стабилитрона малой мощности - а, транзистора малой мощности - б, резистора МЛТ - в) достаточно иметь аппликацию только одной проекции. На них наносят оси симметрии, центры отверстий для крепления, обозначают крайние положения подвижных частей и местоположение выводных контактов или проводников. [25]
Отсюда может быть сделан важный практический вывод. Транзисторы больших мощностей, особенно германиевые, как правило, более критичны к режиму во входной цепи, чем транзисторы малых мощностей. Напряжение пробоя ( если это тепловой пробой) таких транзисторов более резко меняется ( снижается) в зависимости от схемы включения, величины сопротивления во входной цепи и величины запирающего эмиттер смещения. Эта зависимость особенно заметна в области отсечки и в начале области усиления, на малых токах. [26]
Транзисторы должны крепиться только за корпус. Крепление за выводы недопустимо: резонансные колебания при вибрации и тряске могут нарушить герметичность корпуса или привести к обрыву вывода. Корпус транзисторов малой мощности закрепляется на монтажной плате обычно при помощи специального клея. [27]
Транзисторы крепят только за корпус. Крепление за выводы недопустимо: резонансные колебания при вибрации и тряске могут нарушить герметичность корпуса или привести к обрыву вывода. Корпуса транзисторов малой мощности крепят на монтажной плате обычно специальным клеем. [28]
Транзисторы крепят только за корпус. Крепление за выводы недопустимо: резонансные колебания при вибрации и тряске могут нарушить герметичность корпуса или привести к обрыву выводов. Корпуса транзисторов малой мощности крепят на монтажной плате обычно специальным клеем. [29]
Выполнена на основе биполярного матричного кристалла, содержащего 9 независимых друг от друга блоков, формируемых одновременно, начиная с операции создания промежуточных фотооригиналов на генераторе изображения. Соединения активных и пассивных элементов производятся с помощью металлизации первого и второго уровня по заказу потребителя. Содержит 144 п-р - п транзистора малой мощности ( ТММ), 6 п-р - п транзисторов повышенной мощности ( ТПМ), 72 р-п - р транзистора малой мощности, 6 р-п - р транзисторов повышенной мощности, 336 резисторов на 250 Ом / на квадрат и 336 резисторов на 1500 Ом / на квадрат. [30]
Страницы: 1 2 3