Cтраница 3
Выполнена на основе биполярного матричного кристалла, содержащего 9 независимых друг от друга блоков, формируемых одновременно, начиная с операции создания промежуточных фотооригиналов на генераторе изображения. Соединения активных и пассивных элементов производятся с помощью металлизации первого и второго уровня по заказу потребителя. Содержит 144 п-р - п транзистора малой мощности ( ТММ), 6 п-р - п транзисторов повышенной мощности ( ТПМ), 72 р-п - р транзистора малой мощности, 6 р-п - р транзисторов повышенной мощности, 336 резисторов на 250 Ом / на квадрат и 336 резисторов на 1500 Ом / на квадрат. [31]